Invention Publication
CN102326239A 半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置
- Patent Title (English): Method of producing semiconductor chip stack, and semiconductor device
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Application No.: CN201080008175.7Application Date: 2010-03-10
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Publication No.: CN102326239APublication Date: 2012-01-18
- Inventor: 早川明伸 , 石泽英亮 , 竹田幸平 , 增井良平
- Applicant: 积水化学工业株式会社
- Applicant Address: 日本大阪
- Assignee: 积水化学工业株式会社
- Current Assignee: 积水化学工业株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 蒋亭
- Priority: 2009-056400 2009.03.10 JP
- International Application: PCT/JP2010/054026 2010.03.10
- International Announcement: WO2010/104125 JA 2010.09.16
- Date entered country: 2011-08-18
- Main IPC: H01L21/52
- IPC: H01L21/52 ; H01L25/065 ; H01L25/07 ; H01L25/18

Abstract:
本发明提供一种半导体芯片层叠体的制造方法,其具有:在基板或其它半导体芯片上涂敷半导体部件用胶粘剂的涂敷工序(1);隔着已涂敷的半导体部件用胶粘剂层叠半导体芯片的半导体芯片层叠工序(2);在基板或其它半导体芯片上的使半导体芯片接合的整个区域,使半导体部件用胶粘剂均匀地润湿扩展的工序(3);和、使半导体部件用胶粘剂固化的固化工序(4),在涂敷工序(1)中,涂敷半导体部件用胶粘剂的区域为使半导体芯片接合的区域的40~90%,刚完成半导体芯片层叠工序(2)之后的半导体部件用胶粘剂润湿扩展的区域为使半导体芯片接合的区域的60%以上且小于100%,在润湿扩展的工序(3)中,半导体部件用胶粘剂的在用E型粘度计测定的0.5rpm下的粘度为1~30Pa·s。
Public/Granted literature
- CN102326239B 半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置 Public/Granted day:2013-12-11
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