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公开(公告)号：CN106796989B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201580054970.2
申请日：2015-10-14
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01G9/2009 , H01G9/2077 , H01L51/4253 , H01L51/44 , H01L51/448 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的目的在于提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少、具有高湿耐久性且温度循环耐性优异的太阳能电池。本发明为太阳能电池，其是具有层叠体和密封材料的太阳能电池，所述层叠体具有电极、对置电极和配置于上述电极与上述对置电极之间的光电转换层，所述密封材料覆盖在上述对置电极上而将上述层叠体密封，上述光电转换层包含通式R‑M‑X3(其中，R为有机分子，M为金属原子，X为卤素原子或硫属原子。)所示的有机无机钙钛矿化合物，上述密封材料包含具有选自聚异丁烯、聚异戊二烯及聚丁二烯中的至少1种骨架的树脂。
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公开(公告)号：CN107710437A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038384.3
申请日：2016-07-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L31/022425 , C08K3/16 , C08K3/32 , C08K3/38 , C08K5/36 , C08K5/43 , C08L79/02 , H01L51/44 , H01L51/441 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的目的在于，提供光电转换效率高、高温耐久性优异的太阳能电池、以及有机半导体用材料。本发明的太阳能电池具有电极、对置电极、在所述电极与所述对置电极之间配置的光电转换层、和在所述光电转换层与所述对置电极之间配置的空穴传输层，所述空穴传输层含有包含有机半导体阳离子和含氟化合物阴离子的离子化合物，且所述空穴传输层中的金属浓度为1000ppm以下。
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公开(公告)号：CN107615505A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030222.5
申请日：2016-07-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L31/04 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L51/424 , H01L51/44 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光电转换效率高、高温高湿耐久性优异的太阳能电池。本发明是一种太阳能电池，其至少具有光电转换层、空穴传输层和阳极，上述空穴传输层配置在上述光电转换层与上述阳极之间，上述空穴传输层含有有机半导体成分(1)和含卤原子的聚合物，上述含卤原子的聚合物具有包含卤原子且杂原子上键合有吸电子性基团的结构。另外，本发明是一种太阳能电池，其至少具有光电转换层、空穴传输层和阳极，上述空穴传输层配置在上述光电转换层与上述阳极之间，上述空穴传输层含有有机半导体成分(2)，上述有机半导体成分(2)具有包含卤原子且杂原子上键合有吸电子性基团的结构。
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公开(公告)号：CN106796991A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055525.8
申请日：2015-10-14
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L51/44
Abstract: 本发明的目的在于提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初期劣化)少、耐久性优异的太阳能电池。本发明的太阳能电池中，具有电极、对向电极、和在所述电极与所述对向电极之间配置的光电转换层的层叠体被覆盖在所述对向电极上的无机层密封，所述光电转换层包含通式R‑M‑X3(其中，R为有机分子，M为金属原子，X为卤原子或硫族原子。)所表示的有机无机钙钛矿化合物，所述无机层包含金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。
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公开(公告)号：CN106796990A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580055341.1
申请日：2015-10-14
Applicant: 积水化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供光电转换效率优异、密封时的劣化(初始劣化)少且高温耐久性优异的太阳能电池。本发明为一种太阳能电池，其是具有层叠体和密封树脂层的太阳能电池，所述层叠体具有电极、对置电极和配置于上述电极与上述对置电极之间的光电转换层，所述密封树脂层覆盖在上述对置电极上而将上述层叠体密封，上述光电转换层包含通式R‑M‑X3(其中，R为有机分子，M为金属原子，X为卤素原子或硫属原子。)所示的有机无机钙钛矿化合物，上述密封树脂层包含溶解参数(SP值)为10以下的树脂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104769737A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201380057547.9
申请日：2013-11-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/02 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/3422 , C08G2261/91 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0039 , H01L51/0069 , H01L51/0072 , H01L51/0092 , H01L51/424 , H01L51/426 , H01L51/441 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的目的在于，提供光电转换效率高、且耐久性优异的太阳能电池。本发明是一种太阳能电池，其至少具有阴极、阳极、在所述阴极与所述阳极之间配置的光电转换层、以及在所述光电转换层与所述阳极之间配置的空穴传输层，所述空穴传输层含有具有羧基且具有共轭结构的有机半导体。
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公开(公告)号：CN104094432A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380008248.6
申请日：2013-02-07
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: H01L51/4213 , H01L21/02568 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0072 , H01L51/0077 , H01L51/0092 , H01L51/426 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , H01L51/424 , H01L51/0091
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种光电转换效率高、耐久性优异的有机薄膜太阳能电池。本发明提供的是具有光电转换层的有机薄膜太阳能电池，在所述光电转换层中，含有元素周期表15族元素的硫化物的部位和有机半导体部位相互接触，构成所述有机半导体部位的有机半导体为聚噻吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物或苯并卟啉衍生物。
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公开(公告)号：CN103270617A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180054894.7
申请日：2011-11-15
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L51/42 , B01F17/32 , C07D417/14 , C09D11/00
CPC classification number: H01L51/4213 , B82Y10/00 , C09B23/0058 , C09B23/0083 , C09B23/105 , C09B69/008 , C09D11/52 , H01L51/0003 , H01L51/0007 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0047 , H01L51/4233 , H01L2251/308 , H01L2251/552 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 第一本发明为一种有机太阳能电池活性层用墨液，其含有有机半导体化合物、无机半导体化合物、有机溶剂以及分散剂，上述分散剂是包含具有芳香环和/或杂环的骨架、和在该骨架的非对称的位置键合的极性基团的化合物，上述分散剂满足以下的(1)～(3)中的所有项。(1)LUMO能级低于上述有机半导体化合物的LUMO能级。(2)在上述有机溶剂中的溶解性与上述有机半导体化合物在上述有机溶剂中的溶解性相同或在其以上。(3)HOMO能级高于上述无机半导体化合物的HOMO能级。第二本发明为一种有机太阳能电池，其是具有在有机半导体化合物中存在无机半导体化合物的活性层的太阳能电池，其中，在上述活性层的厚度方向的切割面中，从阴极侧表面至厚度为膜厚的20％的区域内的上述无机半导体化合物的面积比率为75～100％。
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公开(公告)号：CN102326239A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008175.7
申请日：2010-03-10
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/52 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/29 , H01L2224/29012 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29386 , H01L2224/32057 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/8385 , H01L2225/06575 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/15788 , H01L2924/351 , Y10T156/10 , Y10T428/31663 , H01L2924/00 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片层叠体的制造方法，其具有：在基板或其它半导体芯片上涂敷半导体部件用胶粘剂的涂敷工序(1)；隔着已涂敷的半导体部件用胶粘剂层叠半导体芯片的半导体芯片层叠工序(2)；在基板或其它半导体芯片上的使半导体芯片接合的整个区域，使半导体部件用胶粘剂均匀地润湿扩展的工序(3)；和、使半导体部件用胶粘剂固化的固化工序(4)，在涂敷工序(1)中，涂敷半导体部件用胶粘剂的区域为使半导体芯片接合的区域的40～90％，刚完成半导体芯片层叠工序(2)之后的半导体部件用胶粘剂润湿扩展的区域为使半导体芯片接合的区域的60％以上且小于100％，在润湿扩展的工序(3)中，半导体部件用胶粘剂的在用E型粘度计测定的0.5rpm下的粘度为1～30Pa·s。
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公开(公告)号：CN101490829B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200780027527.1
申请日：2007-07-19
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/52 , C09J11/04 , C09J163/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: C09J11/04 , C08G59/42 , C08L63/00 , C09J11/08 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/26135 , H01L2224/26165 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/83138 , H01L2224/83855 , H01L2224/85205 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01061 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199
Abstract: 本发明的目的在于提供能够在接合两个以上半导体芯片等电子部件时以高精度保持电子部件间的距离，且能够得到可靠性高的半导体装置等电子部件的电子部件用粘合剂、使用了该电子部件用粘合剂的半导体芯片层叠体的制造方法及半导体装置。本发明是一种电子部件用粘合剂，其用于接合电子部件，含有：具有固化性化合物及固化剂的粘合组合物、和CV值为10％以下的间隔微粒，在使用E型粘度计，在25℃下测定粘度时，1rpm下的粘度为200Pa·s以下，10rpm下的粘度为100Pa·s以下，且0.5rpm下的粘度为1rpm下的粘度的1.4～3倍，1rpm下的粘度为10rpm下的粘度的2～5倍。
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