本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料，包括底电极和铁酸铋薄膜，所述底电极是镍酸镧薄膜，所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法，用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极，采用固相法制备铁酸铋薄膜；在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜，然后快速退火，重复以上溅射过程6-8次；最后慢退火处理，得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好，表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强，易于操控，可以精确控制薄膜的厚度。