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公开(公告)号：CN103938156A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410097917.8
申请日：2014-03-17
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铕掺杂的铁酸铋薄膜，其包括以镍酸镧为缓冲层的硅衬底和组成式为Bi1-xEuxFeO3(0≤x≤0.07)的靶材，靶材沉积在衬底上。本发明还公开了铕掺杂的铁酸铋薄膜的制备方法，清洗衬底，将靶材和衬底置于镀膜室内，调节压强至5×10-4Pa以下。以每分钟10℃使衬底升温至700℃；调节使溅射气压为10Pa；在温度700℃、氧压10Pa下保持10分钟。调节使衬底反转，靶材正转；衬底和靶材的距离为6cm。以脉冲激光器进行薄膜沉积60min，保温30min。以每分钟20℃的速度降温，至200℃取出得到铕掺杂的铁酸铋薄膜。本发明的制备方法反应过程易于控制，原料易得。本发明铕掺杂的铁酸铋薄膜的结晶性能、漏电性能明显得到改善，光学带隙变小，提高了BiFeO3薄膜的光伏性能，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103668060B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310646917.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料，包括底电极和铁酸铋薄膜，所述底电极是镍酸镧薄膜，所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法，用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极，采用固相法制备铁酸铋薄膜；在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜，然后快速退火，重复以上溅射过程6-8次；最后慢退火处理，得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好，表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强，易于操控，可以精确控制薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN103938156B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410097917.8
申请日：2014-03-17
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种铕掺杂的铁酸铋薄膜，其包括以镍酸镧为缓冲层的硅衬底和组成式为Bi1-xEuxFeO3(0≤x≤0.07)的靶材，靶材沉积在衬底上。本发明还公开了铕掺杂的铁酸铋薄膜的制备方法，清洗衬底，将靶材和衬底置于镀膜室内，调节压强至5×10-4Pa以下。以每分钟10℃使衬底升温至700℃；调节使溅射气压为10Pa；在温度700℃、氧压10Pa下保持10分钟。调节使衬底反转，靶材正转；衬底和靶材的距离为6cm。以脉冲激光器进行薄膜沉积60min，保温30min。以每分钟20℃的速度降温，至200℃取出得到铕掺杂的铁酸铋薄膜。本发明的制备方法反应过程易于控制，原料易得。本发明铕掺杂的铁酸铋薄膜的结晶性能、漏电性能明显得到改善，光学带隙变小，提高了BiFeO3薄膜的光伏性能，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103668060A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310646917.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料，包括底电极和铁酸铋薄膜，所述底电极是镍酸镧薄膜，所述铁酸铋薄膜溅射生长在所述底电极上。本发明还公开了多层同质生长铁酸铋薄膜材料的制备方法，用磁控溅射法在硅基片上制备所述底电极，采用固相法制备铁酸铋薄膜；在底电极上溅射一层所述铁酸铋薄膜，然后快速退火，重复以上溅射过程6-8次；最后慢退火处理，得到所述多层同质生长铁酸铋薄膜材料。本发明得到的铁酸铋薄膜均匀性好、纯度高、致密性好，表面性质明显改善。本发明方法利用磁控溅射法可控性强，易于操控，可以精确控制薄膜的厚度。
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