Invention Grant
CN104465414B 半导体器件的制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件的制造方法
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Application No.: CN201410658118.3Application Date: 2010-06-30
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Publication No.: CN104465414BPublication Date: 2017-08-15
- Inventor: 藤泽敦 , 藤井浩志
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京都
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 陈伟; 王娟娟
- Priority: 2009-159511 20090706 JP
- Main IPC: H01L23/31
- IPC: H01L23/31 ; H01L23/495 ; H01L21/48 ; H01L21/56 ; B23K26/402

Abstract:
本发明提供一种半导体器件的制造方法焊锡角焊缝,该制造方法是使用了具有将多个引线的外端部合并在一起的堤坝的多级引线框的QFN型封装的半导体器件的制造方法,通过激光去除填充于模腔外周与堤坝之间的密封树脂时,对外引线的侧面(4s)倾斜地照射激光(61)。
Public/Granted literature
- CN104465414A 半导体器件的制造方法 Public/Granted day:2015-03-25
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IPC分类: