Invention Grant
- Patent Title: 用于测试大量器件的半导体装置及其构成方法和测试方法
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Application No.: CN201510599734.0Application Date: 2015-09-18
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Publication No.: CN105448764BPublication Date: 2020-09-22
- Inventor: 元孝植 , 玄大埈 , 郑光钰
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道水原市
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道水原市
- Agency: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- Agent 胡江海; 韩明星
- Priority: 10-2015-0003369 2015.01.09 KR
- Main IPC: H01L21/66
- IPC: H01L21/66
Abstract:
提供了一种用于测试半导体装置的多个晶体管的方法。所述方法包括利用前段制程(FEOL)工艺形成多个元件或多个逻辑单元；利用多个元件或多个逻辑单元中的至少一个来形成选择逻辑器；使选择逻辑器与多个晶体管连接，形成用于使选择逻辑器的输入端子与多个晶体管的漏极端子或源极端子连接的焊盘；利用选择逻辑器顺序地选择多个晶体管并测量所述多个晶体管之中的所选择的晶体管的电特性。
Public/Granted literature
- CN105448764A 用于测试大量器件的半导体装置及其构成方法和测试方法 Public/Granted day:2016-03-30
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IPC分类:
