Invention Grant
CN106463472B 半导体器件及制造其的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体器件及制造其的方法
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Application No.: CN201580032987.8Application Date: 2015-06-05
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Publication No.: CN106463472BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 村井诚 , 高冈裕二 , 佐藤和树 , 山田宏行
- Applicant: 索尼公司
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 索尼公司
- Current Assignee: 索尼公司
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- Agent 田喜庆; 吴孟秋
- Priority: 2014-132332 2014.06.27 JP
- International Application: PCT/JP2015/066351 2015.06.05
- International Announcement: WO2015/198839 JA 2015.12.30
- Date entered country: 2016-12-19
- Main IPC: H01L23/12
- IPC: H01L23/12 ; H01L21/60

Abstract:
本发明中的半导体芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体的元件形成表面上的多个包含焊料的电极。封装基板包括以下部件:基板主体;以及设置在所述基板主体的表面上的多个配线和阻焊层。多个包含焊料的电极包括多个第一电极和多个第二电极,多个第一电极提供第一电位,并且多个第二电极提供不同于第一电位的第二电位。在芯片主体的中间,多个第一电极和多个第二电极以交替方式排列在行方向和列方向上。上述多个配线包括多个第一配线和多个第二配线。多个第一配线使多个第一电极彼此连接,并且多个第二配线使多个第二电极彼此连接。
Public/Granted literature
- CN106463472A 半导体器件及制造其的方法 Public/Granted day:2017-02-22
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IPC分类: