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Invention Publication
CN106549059A 半导体结构及其制造方法 有权

半导体结构及其制造方法
Abstract:
本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含形成于一基底之上的一鳍板结构，以及横跨鳍板结构的一栅极结构。半导体结构还包含形成于栅极结构的一侧壁的一下部部分上的一底部间隔物，以及形成于栅极结构的侧壁的一上部部分上的一上部间隔物。此外，上部间隔物包含形成于一介电材料中的一空气间隙。本发明提供的半导体结构及其形成方法，其半导体结构包含形成于基底之上的栅极结构。底部间隔物形成于栅极结构的侧壁的底部部分，以及上部间隔物形成于栅极结构的侧壁的上部部分。此外，上部间隔物包含形成于其中的空气间隙，因此上部间隔物可具有低介电常数，且可改善半导体结构的效能。
Abstract(English):

A semiconductor structure and a method for forming the same are provided. The semiconductor structure includes a fin structure formed over a substrate and a gate structure formed across the fin structure. The semiconductor structure further includes a bottom spacer formed on a lower part of a sidewall of the gate structure and an upper spacer formed on an upper part of the sidewall of the gate structure. In addition, the upper spacer includes an air gap formed in a dielectric material.According to the invention, the semiconductor structure includes a fin structure formed over the substrate. The bottom spacer is formed on the lower part of the sidewall of the gate structure, and the upper spacer is formed the upper part of the sidewall of the gate structure. In addition, the upper spacer includes an air gap formed in a dielectric material. The upper spacer may have a low dielectric constant and may improve the effectiveness of the semiconductor structure.

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
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