Invention Publication
- Patent Title: 半导体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
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Application No.: CN201611232698.5Application Date: 2016-12-28
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Publication No.: CN107046009APublication Date: 2017-08-15
- Inventor: 香月尚
- Applicant: 富士电机株式会社
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 富士电机株式会社
- Current Assignee: 富士电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 上海专利商标事务所有限公司
- Agent 宋俊寅
- Priority: 2016-020743 20160205 JP
- Main IPC: H01L23/367
- IPC: H01L23/367 ; H01L23/495 ; H01L23/498

Abstract:
本发明的半导体装置能抑制大型化,并确保可允许来自半导体元件的发热的热容量。半导体装置(100)中,引线框架(151)的一端部经由焊料(141)连接到电路图案(112c),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。同样,引线框架(152)的一端部经由焊料(142)连接到电路图案(112d),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。此时,被引线框架(151)覆盖的电路图案(112a、112b)分别埋设在绝缘层(131、132)中。另外,半导体元件(180)隔着焊料(170)设置在引线框架(151)的电路图案(112c)上方的区域。引线(190)将半导体元件(180)与引线框架(152)的电路图案(112d)上方的区域电连接。
Public/Granted literature
- CN107046009B 半导体装置 Public/Granted day:2022-03-15
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IPC分类: