-
公开(公告)号:CN102593020A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110433708.2
申请日:2011-12-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
IPC: H01L21/60 , H01L23/495 , F02P1/00 , F02P3/00 , F02P9/00
CPC classification number: H01L24/92 , F02P3/0453 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/49589 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48755 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85455 , H01L2224/92 , H01L2224/922 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19106 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85
Abstract: 根据本发明的制造半导体设备的方法包括如下步骤:将焊料31涂覆到引线框30的上表面上的预定区域上;将芯片32安装在焊料31上;用热板33熔化焊料31,以将芯片32接合到引线框30;用接合导线34来配线;将引线框30倒置;将倒置的引线框30放置到加热台35上;涂覆熔点低于焊料31的熔点的焊料36;将电子部件37安装在焊料36上;以及,用加热台35来熔化焊料36,以将电子部件37接合到引线框30。借助于焊料36的接合在高环境温度下进行。半导体设备及其制造方法便于将半导体装置和电子部件安装在为形成配线电路而被划分的引线框的两表面上,而不经过复杂的制造步骤。
-
公开(公告)号:CN107046009B
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN201611232698.5
申请日:2016-12-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
IPC: H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明的半导体装置能抑制大型化,并确保可允许来自半导体元件的发热的热容量。半导体装置(100)中,引线框架(151)的一端部经由焊料(141)连接到电路图案(112c),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。同样,引线框架(152)的一端部经由焊料(142)连接到电路图案(112d),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。此时,被引线框架(151)覆盖的电路图案(112a、112b)分别埋设在绝缘层(131、132)中。另外,半导体元件(180)隔着焊料(170)设置在引线框架(151)的电路图案(112c)上方的区域。引线(190)将半导体元件(180)与引线框架(152)的电路图案(112d)上方的区域电连接。
-
公开(公告)号:CN105814682B
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201580003023.0
申请日:2015-04-17
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备:依次层叠金属板(3)、绝缘树脂板(4)、电路板(5)而构成的绝缘基板(2);固定于绝缘基板(2)的电路板(5)的半导体元件(6);与设置于半导体元件(6)的表面的电极或绝缘基板的电路板连接的配线部件(8);收纳绝缘基板(2)、半导体元件(6)和配线部件(8)的框体(10);以及将收纳在框体(10)内的绝缘基板(2)、半导体元件(6)和配线部件(8)密封的包含热固性树脂的封装材料(13)。绝缘基板(2)的电路板(5)是将电路用图案(5A)与封装材料密合用图案(5B)组合,并选择性地形成在绝缘树脂板上而成。
-
公开(公告)号:CN105814682A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201580003023.0
申请日:2015-04-17
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 半导体装置(1)具备:依次层叠金属板(3)、绝缘树脂板(4)、电路板(5)而构成的绝缘基板(2);固定于绝缘基板(2)的电路板(5)的半导体元件(6);与设置于半导体元件(6)的表面的电极或绝缘基板的电路板连接的配线部件(8);收纳绝缘基板(2)、半导体元件(6)和配线部件(8)的框体(10);以及将收纳在框体(10)内的绝缘基板(2)、半导体元件(6)和配线部件(8)密封的包含热固性树脂的封装材料(13)。绝缘基板(2)的电路板(5)是将电路用图案(5A)与封装材料密合用图案(5B)组合,并选择性地形成在绝缘树脂板上而成。
-
公开(公告)号:CN105633023A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201510736969.X
申请日:2015-11-03
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
IPC: H01L23/043 , H01L23/31 , H01L23/06
Abstract: 本发明提供一种抑制封装材料与塑料框体的树脂部分的剥离、长期可靠性高的半导体装置。半导体装置(1)具备:绝缘基板(2)、固定于绝缘基板(2)的电路板(5)的半导体元件(6)、布线部件(8)、绝缘基板(2)、收容半导体元件(6)和布线部件(8)的中空形状的塑料框体(10)以及封装材料(13)。塑料框体(10)在内表面具有内框(10a),在内框(10a)的前端形成台阶(10b)。
-
公开(公告)号:CN116266563A
公开(公告)日:2023-06-20
申请号:CN202211317560.0
申请日:2022-10-26
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法,能够不使用壳体而抑制成本地制造半导体装置。半导体装置具有底面接合于基座基板的正面并在俯视时连续且呈环状地包围搭载区域的外廓部件、和将包含被外廓部件包围的搭载区域在内的容纳区内密封的密封部件。这样的半导体装置能够不使用分离用片材而对作为壳体的代替的外廓部件进行成型。另外,也不需要形成用于形成真空的孔,形成真空的工序以及真空装置也都不需要。这样的外廓部件能够相对于基底基板精度良好地形成于期望的位置。由于外廓部件与基底基板直接接合,所以不像使用壳体的情况那样另外需要粘接剂,此外,也不需要粘接剂的涂布工序。能够抑制制造成本而以不包含壳体的方式得到半导体装置。
-
公开(公告)号:CN105633023B
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201510736969.X
申请日:2015-11-03
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
IPC: H01L23/043 , H01L23/31 , H01L23/06
Abstract: 本发明提供一种抑制封装材料与塑料框体的树脂部分的剥离、长期可靠性高的半导体装置。半导体装置(1)具备:绝缘基板(2)、固定于绝缘基板(2)的电路板(5)的半导体元件(6)、布线部件(8)、绝缘基板(2)、收容半导体元件(6)和布线部件(8)的中空形状的塑料框体(10)以及封装材料(13)。塑料框体(10)在内表面具有内框(10a),在内框(10a)的前端形成台阶(10b)。
-
公开(公告)号:CN107046009A
公开(公告)日:2017-08-15
申请号:CN201611232698.5
申请日:2016-12-28
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
IPC: H01L23/367 , H01L23/495 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/49861 , H01L23/049 , H01L23/057 , H01L23/36 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L23/49894 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L23/3677 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49822
Abstract: 本发明的半导体装置能抑制大型化,并确保可允许来自半导体元件的发热的热容量。半导体装置(100)中,引线框架(151)的一端部经由焊料(141)连接到电路图案(112c),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。同样,引线框架(152)的一端部经由焊料(142)连接到电路图案(112d),另一端部从壳体(160)向外侧延伸。此时,被引线框架(151)覆盖的电路图案(112a、112b)分别埋设在绝缘层(131、132)中。另外,半导体元件(180)隔着焊料(170)设置在引线框架(151)的电路图案(112c)上方的区域。引线(190)将半导体元件(180)与引线框架(152)的电路图案(112d)上方的区域电连接。
-
公开(公告)号:CN102593020B
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:CN201110433708.2
申请日:2011-12-21
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
IPC: H01L21/60 , H01L23/495 , F02P1/00 , F02P3/00 , F02P9/00
CPC classification number: H01L24/92 , F02P3/0453 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/49589 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48755 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/838 , H01L2224/85455 , H01L2224/92 , H01L2224/922 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19106 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00015 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85
Abstract: 根据本发明的制造半导体设备的方法包括如下步骤:将焊料31涂覆到引线框30的上表面上的预定区域上;将芯片32安装在焊料31上;用热板33熔化焊料31,以将芯片32接合到引线框30;用接合导线34来配线;将引线框30倒置;将倒置的引线框30放置到加热台35上;涂覆熔点低于焊料31的熔点的焊料36;将电子部件37安装在焊料36上;以及,用加热台35来熔化焊料36,以将电子部件37接合到引线框30。借助于焊料36的接合在高环境温度下进行。半导体设备及其制造方法便于将半导体装置和电子部件安装在为形成配线电路而被划分的引线框的两表面上,而不经过复杂的制造步骤。
-
公开(公告)号:CN111681993B
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202010078623.6
申请日:2020-02-03
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 香月尚
IPC: H01L23/10 , H01L23/492
Abstract: 提供半导体装置,能抑制壳体与外部连接端子的界面处的剥离扩展。壳体(15)具备端子配置部(15b),该端子配置部具有从内壁面(15a2)向开口区域(15a1)突出的配置面(15b1),将正面(16a)的露出区域(16a1)露出,且埋设外部连接端子(16)的背面(16b)。此外,在壳体中,在外部连接端子的露出区域(16a1)中的1组对边的两侧的至少一部分,配置面(15b1)位于正面(16a)与背面之间而相对于正面(16a)构成阶梯差。在这种半导体装置(10)中,壳体不到达外部连接端子的正面(16a)的露出区域(16a1)。因此,密封树脂不流入到外部连接端子与壳体的边界处的剥离,抑制剥离进一步扩展。
-
-
-
-
-
-
-
-
-