本发明涉及化学机械抛光(CMP)组合物(Q)在化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金的基材(S)中的用途，其中该CMP组合物(Q)包含：(A)无机颗粒，(B)具有通式(I)的三嗪衍生物，其中R1、R2、R3、R4、R5及R6彼此独立地为H、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、C2‑C10烷基羧酸、羟甲基、乙烯基或烯丙基，(C)至少一种氨基酸，(D)至少一种氧化剂，(E)含水介质，且其中该CMP组合物(Q)的pH为7至10。