具有片上噪声保护电路的半导体芯片

Invention Grant

CN107431042B 具有片上噪声保护电路的半导体芯片有权

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Patent Title: 具有片上噪声保护电路的半导体芯片
Application No.: CN201680021557.0

Application Date: 2016-03-25
Publication No.: CN107431042B

Publication Date: 2020-08-25
Inventor: 柳川善光 , 松本昌大 , 中野洋 , 小田部晃 , 浅野哲
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Applicant Address: 日本茨城县
Assignee: 日立汽车系统株式会社
Current Assignee: 日立安斯泰莫株式会社
Current Assignee Address: 日本茨城县
Agency: 上海华诚知识产权代理有限公司
Agent 肖华
Priority: 2015-088034 2015.04.23 JP
International Application: PCT/JP2016/059534 2016.03.25
International Announcement: WO2016/170913 JA 2016.10.27
Date entered country: 2017-10-12
Main IPC: H01L21/822
IPC: H01L21/822 ; H01L27/04

Abstract:

本发明提供一种具有耐噪性高的保护电路的半导体芯片。本发明的半导体芯片具有压焊块、保护元件及内部电路，其特征在于，到达至所述压焊块和所述保护元件的路径上的金属配线的电阻值高于所述保护元件的电阻值。

Public/Granted literature

CN107431042A 具有片上噪声保护电路的半导体芯片 Public/Granted day:2017-12-01

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）