Invention Grant
- Patent Title: 一种层间绝缘层的制备方法、层间绝缘层及液晶显示面板
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Application No.: CN201710846716.7Application Date: 2017-09-19
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Publication No.: CN107611144BPublication Date: 2019-10-11
- Inventor: 卢瑞
- Applicant: 武汉华星光电技术有限公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
- Assignee: 武汉华星光电技术有限公司
- Current Assignee: 武汉华星光电技术有限公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武汉东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
- Agency: 深圳汇智容达专利商标事务所
- Agent 潘中毅; 熊贤卿
- Main IPC: H01L27/12
- IPC: H01L27/12 ; H01L21/77 ; G02F1/1333

Abstract:
本发明提供一种层间绝缘层的制备方法、层间绝缘层及液晶显示面板,该方法包括下述步骤:S1、在基板上依次沉积低折射率的第一SiNx层、高折射率的第二SiNx层,其中,低折射率的范围为1.7~1.87,高折射率的范围为1.91~1.93,x≥1;S2、在第二SiNx层上沉积SiOy层,其中,SiOy层的折射率范围为1.4~1.5,y≥1。本发明提供的层间绝缘层具有良好的弹性和稳定性,并且承受的应力较小,不会破坏膜层,不会造成膜层破裂剥落,降低了对低温多晶硅的长距离精度的影响。
Public/Granted literature
- CN107611144A 一种层间绝缘层的制备方法、层间绝缘层及液晶显示面板 Public/Granted day:2018-01-19
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