Invention Publication
- Patent Title: 硅片的清洗方法
- Patent Title (English): Cleaning method of silicon wafer
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Application No.: CN201710720566.5Application Date: 2017-08-21
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Publication No.: CN107706087APublication Date: 2018-02-16
- Inventor: 钱明明 , 徐建 , 贾泰 , 彭彪
- Applicant: 东方环晟光伏(江苏)有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路20号
- Assignee: 东方环晟光伏(江苏)有限公司
- Current Assignee: 东方环晟光伏(江苏)有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路20号
- Agency: 南京天华专利代理有限责任公司
- Agent 刘畅; 徐冬涛
- Main IPC: H01L21/02
- IPC: H01L21/02 ; H01L31/18 ; C30B33/10

Abstract:
本发明公开了一种硅片的清洗方法,包括前清洗、制绒、后清洗、酸洗以及清洗烘干步骤。本发明在酸洗前加入双氧水、氨水和去离子水的混合液,不光可以更有效的去除硅片的金属离子,还可以对硅片表面的有机成本及颗粒物进行清洗,减少硅片表面脏污(该清洗方式通过碱性氧化,去除硅片表面的颗粒,并可氧化及去除表面的有机物和金属污染),这样硅片清洗更干净,从而提高电池片的0.03~0.05%转换效率。
Public/Granted literature
- CN107706087B 硅片的清洗方法 Public/Granted day:2021-04-13
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