Invention Grant
- Patent Title: 一种用于形成包括二维材料的装置的方法
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Application No.: CN201680062811.1Application Date: 2016-08-05
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Publication No.: CN108352399BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: D·柯顿 , Y·刘 , A·罗宾逊 , A·别索诺夫 , R·怀特
- Applicant: 诺基亚技术有限公司
- Applicant Address: 芬兰埃斯波
- Assignee: 诺基亚技术有限公司
- Current Assignee: 诺基亚技术有限公司
- Current Assignee Address: 芬兰埃斯波
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 杨晓光
- Priority: 15182976.9 20150828 EP
- International Application: PCT/FI2016/050550 2016.08.05
- International Announcement: WO2017/037333 EN 2017.03.09
- Date entered country: 2018-04-26
- Main IPC: H01L29/66
- IPC: H01L29/66 ; H01L29/778 ; H01L29/12 ; H01L29/06 ; H01L29/16 ; G01N27/414 ; H01L31/028 ; H01L31/0352
Abstract:
一种方法和装置，该方法包括：在第一释放层上形成二维材料层(23)，特别地，石墨烯；形成可能的(栅)绝缘层(35)和至少两个(优选三个)电极；形成覆盖所述二维材料层的至少一部分的第二释放层；提供覆盖所述至少两个电极和所述第二释放层的可模制聚合物(24，26，28)；以及去除第一和第二释放层以在可模制聚合物和二维材料层之间提供腔(29)。
Public/Granted literature
- CN108352399A 一种用于形成包括二维材料的装置的方法 Public/Granted day:2018-07-31
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IPC分类:
