Invention Publication
- Patent Title: 静电保护电路
- Patent Title (English): Electrostatic protection circuit
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Application No.: CN201810346902.9Application Date: 2018-04-18
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Publication No.: CN108512207APublication Date: 2018-09-07
- Inventor: 廖家玮 , 唐新伟 , 张国彦
- Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- Applicant Address: 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501
- Assignee: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
- Current Assignee: 南京矽力微电子技术有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省杭州市文三路90号东部软件园科技大厦A1501
- Agency: 北京成创同维知识产权代理有限公司
- Agent 蔡纯; 张靖琳
- Main IPC: H02H9/04
- IPC: H02H9/04 ; H01L27/02

Abstract:
公开了一种静电保护电路,包括:泄放单元,与信号端相连,泄放单元根据触发信号对信号端进行能量泄放;触发单元,用于提供所述触发信号;其中,所述触发单元包括第一晶体管,所述第一晶体管在其第一端和控制端之间的寄生电容耦合作用下导通以提供启动电流,所述第一晶体管的第一端与所述信号端相连,当所述第一晶体管导通时,所述触发单元根据所述启动电流提供所述触发信号。在进行器件设计时可省略针对高压电容设置的掩膜层,从而减少了掩膜数量,进一步地降低了电路的设计成本、提升了电路的设计效率。
Public/Granted literature
- CN108512207B 静电保护电路 Public/Granted day:2020-01-24
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