-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108512207B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810346902.9
申请日：2018-04-18
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 公开了一种静电保护电路，包括：泄放单元，与信号端相连，泄放单元根据触发信号对信号端进行能量泄放；触发单元，用于提供所述触发信号；其中，所述触发单元包括第一晶体管，所述第一晶体管在其第一端和控制端之间的寄生电容耦合作用下导通以提供启动电流，所述第一晶体管的第一端与所述信号端相连，当所述第一晶体管导通时，所述触发单元根据所述启动电流提供所述触发信号。在进行器件设计时可省略针对高压电容设置的掩膜层，从而减少了掩膜数量，进一步地降低了电路的设计成本、提升了电路的设计效率。
-
公开(公告)号：CN112736124A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011584197.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护器件，包括：基底；从所述基底的上表面延伸至其内的具有第一掺杂类型的第一阱区；位于所述第一阱区中，从所述基底的上表面延伸至其内的具有第一掺杂类型的第一掺杂区；从所述基底的上表面延伸至其内的具有第二掺杂类型的第二掺杂区；位于所述基底的上表面，与所述第二掺杂区相邻的场氧化层；以及从所述场氧化层的上表面向所述第一掺杂区延伸的场板。本发明的器件在相同的击穿电压下，可以将元胞设置的比较小，以增大单位面积电流能力。
-
公开(公告)号：CN108512207A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810346902.9
申请日：2018-04-18
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 公开了一种静电保护电路，包括：泄放单元，与信号端相连，泄放单元根据触发信号对信号端进行能量泄放；触发单元，用于提供所述触发信号；其中，所述触发单元包括第一晶体管，所述第一晶体管在其第一端和控制端之间的寄生电容耦合作用下导通以提供启动电流，所述第一晶体管的第一端与所述信号端相连，当所述第一晶体管导通时，所述触发单元根据所述启动电流提供所述触发信号。在进行器件设计时可省略针对高压电容设置的掩膜层，从而减少了掩膜数量，进一步地降低了电路的设计成本、提升了电路的设计效率。
-
公开(公告)号：CN112736124B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011584197.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种ESD保护器件，包括：基底；从所述基底的上表面延伸至其内的具有第一掺杂类型的第一阱区；位于所述第一阱区中，从所述基底的上表面延伸至其内的具有第一掺杂类型的第一掺杂区；从所述基底的上表面延伸至其内的具有第二掺杂类型的第二掺杂区；位于所述基底的上表面，与所述第二掺杂区相邻的场氧化层；以及从所述场氧化层的上表面向所述第一掺杂区延伸的场板。本发明的器件在相同的击穿电压下，可以将元胞设置的比较小，以增大单位面积电流能力。
-
公开(公告)号：CN119630067A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411729907.1
申请日：2024-11-28
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明提供一种SCR结构，通过将第一P型重掺杂区设置在第一N型重掺杂区中，即两者为互相接触的状态，同时将第一P型重掺杂区分为多个间隔设置的第一P型重掺杂区，使得多个第一P型重掺杂区的侧面被第一N型重掺杂区包围，有效提高了SCR结构中PNP三极管基区离子注入浓度，从而可有效提高SCR结构的维持电压；另外，还可有效降低NMOS晶体管对SCR结构的辅助触发电压；最后，降低由第一P型重掺杂区及其左右两侧的第一N型重掺杂区构成的NPN三极管电流放大倍数β，从而进一步提高SCR结构的维持电压。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.034 seconds)
