Invention Grant
- Patent Title: 切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法
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Application No.: CN201810726671.4Application Date: 2018-07-04
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Publication No.: CN109216211BPublication Date: 2023-10-13
- Inventor: 靍泽俊浩 , 小坂尚史 , 三木香 , 木村雄大 , 高本尚英 , 大西谦司 , 杉村敏正 , 赤泽光治
- Applicant: 日东电工株式会社
- Applicant Address: 日本大阪府
- Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee: 日东电工株式会社
- Current Assignee Address: 日本大阪府
- Agency: 北京林达刘知识产权代理事务所
- Agent 刘新宇; 李茂家
- Main IPC: H01L21/52
- IPC: H01L21/52 ; H01L21/60 ; C09J7/24 ; C09J7/29
Abstract:
提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。
Public/Granted literature
- CN109216211A 切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法 Public/Granted day:2019-01-15
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IPC分类:
