公开(公告)号：CN111826097B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202010299869.6

申请日：2020-04-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  大西谦司 ,  高本尚英

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/24 ,  C09J133/10 ,  H01L21/683

Abstract: 提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。

公开(公告)号：CN109207078A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810726582.X

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三木香 ,  小坂尚史 ,  靏泽俊浩 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/29 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L24/27 ,  C09J7/245 ,  C09J7/29 ,  C09J2201/122 ,  C09J2423/046 ,  C09J2423/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L21/52

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中对切割带上的割断后的带有DAF的半导体芯片抑制从切割带上浮起的同时扩大分离距离，并且适于实现拾取工序中良好的拾取性的切割带和DDAF。对于本发明的切割带(10)，在以拉伸速度1000mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力相对于在以拉伸速度10mm/分钟的拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm，23℃)中在应变值20％下产生的拉伸应力的比值为1.4以上。本发明的DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。

公开(公告)号：CN104080875A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007835.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 铃木俊隆 ,  石黑繁树 ,  由藤拓三 ,  千田洋毅 ,  松本真理 ,  关口裕香 ,  长友绫 ,  浅井文辉 ,  杉村敏正 ,  白井稚人

IPC: C09J7/02 ,  C09J11/06 ,  C09J133/00 ,  C09J201/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08K5/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2205/106 ,  C09J2427/006 ,  C09J2433/00 ,  H01L2221/68327

Abstract: 本发明的目的在于提供在各种环境下都能够得到稳定的粘接特性和剥离特性的粘合带。一种粘合带，其为在热塑性树脂薄膜的单面形成有压敏性粘合剂层的粘合带，其中，至少在热塑性树脂薄膜和压敏性粘合剂层的任一者中含有包含碳数1～4的亚烷基和碳数12～18的饱和脂肪酸残基的亚烷基双饱和脂肪酸酰胺。

公开(公告)号：CN103531676A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310270481.3

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L21/6836 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，所述LED晶圆包括所述基板和形成在所述基板的一面上的发光元件；在所述背面研磨之后，在所述基板的外侧形成反射层；以及在所述LED晶圆的发光元件的外侧贴附耐热性压敏粘合片。

公开(公告)号：CN101942278A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010223680.5

申请日：2010-07-07

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 杉村敏正 ,  高桥智一 ,  川岛教孔 ,  浅井文辉

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  C09J133/00

CPC classification number: C09J7/29 ,  C09J2201/162 ,  C09J2203/326 ,  C09J2400/226 ,  C09J2423/006 ,  C09J2467/006 ,  C09J2479/086 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/2848

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体晶圆切割用粘合片和使用该粘合片的半导体晶圆的切割方法，所述半导体晶圆切割用粘合片即使在半导体晶圆的表面存在凹凸等的情况下，也能够良好地追随于该凹凸，能够防止粘合片粘贴面的浸水、污染、芯片飞溅、碎裂等。一种半导体晶圆切割用粘合片，该半导体晶圆切割用粘合片至少由基材、中间层和粘合剂层层压而成，所述中间层通过熔点为50～100℃的热塑性树脂形成，所述基材的熔点高于所述中间层的熔点。

公开(公告)号：CN111748290B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202010218433.X

申请日：2020-03-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大 ,  杉村敏正 ,  福井章洋

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J7/40 ,  C09J133/14 ,  C09J133/04 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  H01L21/683

Abstract: 提供带粘接薄膜的切割带，对在为了得到带粘接薄膜的半导体芯片而使用带粘接薄膜的切割带进行的扩展工序中使切割带(DT)上的粘接薄膜良好地割断是适合的，且对抑制割断后的带粘接薄膜的半导体芯片自DT的浮起且实现拾取工序中的良好拾取是适合的。带粘接薄膜的切割带(X)具备切割带(10)和粘接薄膜(20)。粘接薄膜(20)可剥离地密合于切割带(10)具有的粘合2剂层(12)。相对于在22℃下受到300mJ/cm的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜cm2的紫外线照射的试验片的粘合剂层(12)与粘接薄膜(20)之间的剥离粘合力的比率为0.8～2。(20)之间的剥离粘合力的、在60℃下受到300mJ/

公开(公告)号：CN109216211B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201810726671.4

申请日：2018-07-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 靍泽俊浩 ,  小坂尚史 ,  三木香 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  杉村敏正 ,  赤泽光治

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  C09J7/24 ,  C09J7/29

Abstract: 提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。

公开(公告)号：CN115368841A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210534957.9

申请日：2022-05-17

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 福井章洋 ,  杉村敏正 ,  角野雅俊 ,  大西谦司 ,  木村雄大

IPC: C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C08F220/18 ,  C08F220/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及粘合带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供下述粘合带等，其用于切割芯片接合薄膜的前述粘合剂层，所述切割芯片接合薄膜具备：粘合剂层、和重叠于该粘合剂层的芯片接合片，前述粘合带包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有烷基部分的碳数为12以上的(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元，前述丙烯酸类共聚物包含前述(甲基)丙烯酸脂肪族烷基酯单元10摩尔％以上且85摩尔％以下、并且包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元15摩尔％以上且35摩尔％以下。

公开(公告)号：CN114573909A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111420045.0

申请日：2021-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 中浦宏 ,  宍户雄一郎 ,  杉村敏正 ,  高本尚英

IPC: C08L23/10 ,  C08L23/08 ,  C08J5/18 ,  C09J7/29 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  B32B27/08 ,  B32B27/32 ,  B32B27/30 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的半导体晶圆搭载用基材在‑15℃下的断裂伸长率为300％以上、并且在‑15℃下的断裂强度为20N以上。

公开(公告)号：CN114517065A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111339140.8

申请日：2021-11-12

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 吉田直子 ,  木村雄大 ,  高本尚英 ,  杉村敏正 ,  中浦宏

IPC: C09J7/29 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：层叠片，其具有用于粘接于被粘物的粘接层和重叠于该粘接层的间隔层；以及切割带，其与前述层叠片的前述粘接层重叠且用于保持前述层叠片，前述层叠片在室温下的弯曲刚度为0.05N·mm2以上。