本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。本发明在量子点发光层两侧设置一层超薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的超薄BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。