本发明的一种带隙可调的半导体硼碳薄膜的制备方法属于非晶半导体薄膜材料制备的技术领域。在磁控溅射设备上以玻璃为基底材料，使用高纯的硼靶和碳靶，基底与靶材间的距离均是55mm，以氩气为工作气体，在1.0Pa工作气压下，控制硼靶功率在160W～240W变化、碳靶功率在50W～80W变化、基底温度在200～400℃变化，进行磁控溅射，得到带隙不同的半导体硼碳薄膜。本发明利用磁控溅射方法，通过对基底温度、硼靶功率和碳靶功率的控制，有效调控了a‑C:B中碳原子的sp2杂化态和sp3杂化态的比例含量，最终探索出一种有效调控a‑C:B的Eopt的方法，为进一步开发可应用的a‑C具有重要意义。