Invention Grant
- Patent Title: 导电柱的形成方法、封装结构及封装方法
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Application No.: CN201810118213.2Application Date: 2018-02-06
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Publication No.: CN110120350BPublication Date: 2021-07-02
- Inventor: 杨素素
- Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江路18号;
- Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Current Assignee: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江路18号;
- Agency: 上海思微知识产权代理事务所
- Agent 屈蘅; 李时云
- Main IPC: H01L21/48
- IPC: H01L21/48 ; H01L23/485 ; H01L23/498
Abstract:
本发明提供了一种导电柱的形成方法、封装结构及封装方法。通过在第一衬底中形成具有较大深度的凹槽，接着在凹槽中形成导电层，以及结合键合工艺使第一衬底中的导电层键合到第二衬底上，并去除第一衬底使导电层暴露出以构成导电柱，如此即可形成具备较大高度的导电柱。在封装过程中，由于导电柱具备较大的高度，从而可确保导电柱能够越过凸起结构而焊接至目标焊垫上。
Public/Granted literature
- CN110120350A 导电柱的形成方法、封装结构及封装方法 Public/Granted day:2019-08-13
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IPC分类:
