一种栅控双极-场效应复合碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

Invention Publication

CN110212033A 一种栅控双极-场效应复合碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体晶体管有权

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Patent Title: 一种栅控双极-场效应复合碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
Application No.: CN201910471436.1

Application Date: 2019-05-31
Publication No.: CN110212033A

Publication Date: 2019-09-06
Inventor: 段宝兴 , 董自明 , 杨银堂
Applicant: 西安电子科技大学
Applicant Address: 陕西省西安市太白南路2号
Assignee: 西安电子科技大学
Current Assignee: 西安电子科技大学
Current Assignee Address: 陕西省西安市太白南路2号
Agency: 西安智邦专利商标代理有限公司
Agent 胡乐
Main IPC: H01L29/78
IPC: H01L29/78 ; H01L29/16 ; H01L29/10

Abstract:

本发明公开了一种栅控双极-场效应复合碳化硅横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，衬底为碳化硅材料，基区接触的表面形成基极，基极与源极隔离，与栅极电连接，代替传统的碳化硅LDMOS中基区与源极短接的电极连接方式，满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。该结构与传统LDMOS器件相比，在保证器件具有相同击穿电压的同时，大幅度提高器件的导通电流，极大改善碳化硅晶体管的导通性能。

Public/Granted literature

CN110212033B 一种栅控双极-场效应复合碳化硅LDMOS Public/Granted day:2021-04-13

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的