Invention Grant
CN110326103B 半导体装置及其制造方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 半导体装置及其制造方法
-
Application No.: CN201880013261.3Application Date: 2018-02-28
-
Publication No.: CN110326103BPublication Date: 2023-05-02
- Inventor: 坂元创一 , 藤野纯司 , 川岛裕史 , 前田健寿
- Applicant: 三菱电机株式会社 , MIYOSHI电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京;
- Assignee: 三菱电机株式会社,MIYOSHI电子株式会社
- Current Assignee: 三菱电机株式会社,MIYOSHI电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京;
- Agency: 中国贸促会专利商标事务所有限公司
- Agent 许海兰
- International Application: PCT/JP2018/007504 2018.02.28
- International Announcement: WO2018/159678 JA 2018.09.07
- Date entered country: 2019-08-22
- Main IPC: H01L23/29
- IPC: H01L23/29 ; H01L23/12 ; H01L23/31

Abstract:
本发明的目的在于提供一种针对热应力进一步提高可靠性的半导体装置。另外,本发明的半导体装置具备:绝缘层(32);导电层(33),与绝缘层(32)的一方主面接合;以及半导体元件(1),配置为上表面与绝缘层(32)的所述一方主面朝向相同的方向,在半导体元件(1)的上表面设置有上表面电极(9),还具备:具有中空部分(4a)的布线部件(4),一端与半导体元件(1)的上表面电极(9)电接合,另一端与导电层(33)电接合;第1密封材料(71);以及第2密封材料(72),比第1密封材料(71)软,第1密封材料(71)以与半导体元件(1)接触的方式密封半导体元件(1)的至少一部分,第2密封材料(72)以与布线部件(4)接触的方式密封布线部件(4)。
Public/Granted literature
- CN110326103A 半导体装置 Public/Granted day:2019-10-11
Information query
IPC分类: