Invention Publication
- Patent Title: 封装结构的形成方法
- Patent Title (English): Forming method of packaging structure
-
Application No.: CN201910681475.4Application Date: 2019-07-26
-
Publication No.: CN110534443APublication Date: 2019-12-03
- Inventor: 陶玉娟
- Applicant: 南通通富微电子有限公司
- Applicant Address: 江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼1477室
- Assignee: 南通通富微电子有限公司
- Current Assignee: 南通通富微电子有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省南通市苏通科技产业园江成路1088号江成研发园内3号楼1477室
- Agency: 上海盈盛知识产权代理事务所
- Agent 高德志
- Main IPC: H01L21/56
- IPC: H01L21/56 ; H01L21/60 ; H01L23/552 ; H01L23/31

Abstract:
一种封装结构的形成方法,在将若干半导体芯片的功能面粘合在载板上后,形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层,且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状;在所述第一屏蔽层上形成第二屏蔽层;在所述第二屏蔽层上以及半导体芯片之间的载板上形成塑封层;剥离所述载板,形成预封面板,所述预封面板背面露出半导体芯片的功能面;在所述预封面板的背面形成与焊盘连接的外部接触结构。形成的具有椭球状表面的第一屏蔽层不仅第一屏蔽层本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面,并且在第一屏蔽层的椭球状表面形成第二屏蔽层时,第二屏蔽层不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题,从而使得第一屏蔽层和形成的第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的,提高了屏蔽的效果。
Public/Granted literature
- CN110534443B 封装结构的形成方法 Public/Granted day:2021-04-13
Information query
IPC分类: