Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件和方法
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Application No.: CN201811544219.2Application Date: 2018-12-17
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Publication No.: CN110634847BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 余振华 , 余国宠 , 余俊辉
- Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Applicant Address: 中国台湾新竹
- Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee: 台湾积体电路制造股份有限公司
- Current Assignee Address: 中国台湾新竹
- Agency: 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- Agent 章社杲; 李伟
- Priority: 16/017,299 20180625 US
- Main IPC: H01L25/065
- IPC: H01L25/065 ; H01L25/18 ; H01L21/98

Abstract:
在实施例中,一种器件包括:第一器件,包括:具有第一连接件的集成电路器件;第一光敏粘合层,位于集成电路器件上;以及第一导电层,位于第一连接件上,第一光敏粘合层围绕第一导电层;第二器件,包括:具有第二连接件的内插器;第二光敏粘合层,位于内插器上,第二光敏粘合层物理连接至第一光敏粘合层;以及第二导电层,位于第二连接件上,第二光敏粘合层围绕第二导电层;以及导电连接件,接合第一导电层和第二导电层,通过气隙围绕导电连接件。本发明实施例涉及半导体器件和方法。
Public/Granted literature
- CN110634847A 半导体器件和方法 Public/Granted day:2019-12-31
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IPC分类: