存储器芯片的失效分析方法
Abstract:
本发明涉及一种存储器芯片的失效分析方法,包括:确定失效点所在的热点区域;确认存在漏电的字线;对所述存在漏电的字线施加偏压,同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度,直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线;对所述失效位线进行失效分析。上述方法能够提高失效分析效率。
Public/Granted literature
Patent Agency Ranking
0/0