Invention Grant
- Patent Title: 存储器芯片的失效分析方法
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Application No.: CN201910972844.5Application Date: 2019-10-14
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Publication No.: CN110706732BPublication Date: 2021-04-13
- Inventor: 李辉
- Applicant: 长江存储科技有限责任公司
- Applicant Address: 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee: 长江存储科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- Agency: 上海盈盛知识产权代理事务所
- Agent 董琳
- Main IPC: G11C29/02
- IPC: G11C29/02 ; G11C29/56
Abstract:
本发明涉及一种存储器芯片的失效分析方法，包括：确定失效点所在的热点区域；确认存在漏电的字线；对所述存在漏电的字线施加偏压，同时观察位于所述热点区域内的位线的电压衬度，直至寻找到所述热点区域内出现异常电压衬度的失效位线；对所述失效位线进行失效分析。上述方法能够提高失效分析效率。
Public/Granted literature
- CN110706732A 存储器芯片的失效分析方法 Public/Granted day:2020-01-17
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