Invention Grant
- Patent Title: 带有突出部和场板的氮化镓高电子迁移率晶体管
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Application No.: CN201980052432.8Application Date: 2019-06-10
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Publication No.: CN112585762BPublication Date: 2024-12-13
- Inventor: 陶耿名 , 杨斌 , 李夏
- Applicant: 高通股份有限公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee: 高通股份有限公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 北京市金杜律师事务所
- Agent 王茂华; 傅远
- Priority: 16/058,388 20180808 US
- International Application: PCT/US2019/036310 2019.06.10
- International Announcement: WO2020/033038 EN 2020.02.13
- Date entered country: 2021-02-05
- Main IPC: H01L29/778
- IPC: H01L29/778 ; H01L29/40 ; H01L29/06 ; H01L29/36 ; H01L29/20
Abstract:
本公开的某些方面提供了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)。HEMT通常包括氮化镓(GaN)层(206)；以及氮化铝镓(AlGaN)层(208)，其设置在GaN层上方。HEMT还包括源电极(210)、栅电极(212)和漏电极(214)，其设置在AlGaN层上方。HEMT还包括(多个)n掺杂突起(240A，240B)，其设置在AlGaN层上方并且设置在以下至少一项之间：栅电极和漏电极、或源电极和栅电极。n掺杂突起中的每个n掺杂突起与栅电极、漏电极和源电极分开。
Public/Granted literature
- CN112585762A 带有突出部和场板的氮化镓高电子迁移率晶体管 Public/Granted day:2021-03-30
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IPC分类:
