Invention Grant
- Patent Title: 纳米线的选择性蚀刻
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Application No.: CN201980064886.7Application Date: 2019-09-26
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Publication No.: CN112789710BPublication Date: 2025-03-04
- Inventor: 薛君 , 萨曼莎·西亚姆华·坦 , 莫汉德·布鲁里 , 李元慧 , 丹尼尔·彼得 , 亚历山大·卡班斯凯
- Applicant: 朗姆研究公司
- Applicant Address: 美国加利福尼亚州
- Assignee: 朗姆研究公司
- Current Assignee: 朗姆研究公司
- Current Assignee Address: 美国加利福尼亚州
- Agency: 上海胜康律师事务所
- Agent 樊英如; 张静
- Priority: 62/740,806 20181003 US
- International Application: PCT/US2019/053245 2019.09.26
- International Announcement: WO2020/072277 EN 2020.04.09
- Date entered country: 2021-03-31
- Main IPC: H01L21/311
- IPC: H01L21/311 ; H01L21/3065 ; H01L21/02 ; H10D62/10 ; H01L21/3213 ; H01L21/67

Abstract:
提供了一种在堆叠件中相对于第二材料层而选择性蚀刻第一材料层的方法。相对于所述第二材料层部分地蚀刻所述第一材料层。在所述堆叠件上选择性沉积沉积层,其中所述沉积层的覆盖在所述第二材料层上的部分比覆盖在所述第一材料层上的部分厚。所述选择性沉积包含:提供第一反应物;清扫掉所述第一反应物中的一些,其中一些未沉积的第一反应物未被清扫掉;以及提供第二反应物,其中所述未沉积的第一反应物与所述第二反应物结合,并且相对于所述第一材料层而选择性沉积在所述第二材料层上。相对于所述第二材料层选择性地蚀刻所述第一材料层。
Public/Granted literature
- CN112789710A 纳米线的选择性蚀刻 Public/Granted day:2021-05-11
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IPC分类: