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公开(公告)号：CN107039264B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201611177683.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/308
Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
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公开(公告)号：CN104451753A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410475090.X
申请日：2014-09-17
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: C09K13/00 , C11D7/02 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3281 , C11D7/50 , C11D11/0047 , C23F1/10 , C23F1/12 , H01L21/02071
Abstract: 本发明涉及用于清洗金属残留物的方法和溶液，具体提供一种用于处理半导体器件的溶液，该溶液包含：活化剂，该活化剂包括吡啶、吡咯、吡咯烷、嘧啶、N,N-二甲基甲酰胺、氯化四乙胺、4-吡啶硫醇、或者具有单个N孤对电子活化剂的其它有机化合物中的至少一种；和蚀刻剂，该蚀刻剂包括氯化亚砜、Cl2、Br2、I2、SOF2、SOF4、SO2Cl2、SOBr2、S2O6F2、HSO3F、或C2Cl4O2中的至少一种。
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公开(公告)号：CN114999910A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210384497.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/308 , C23C16/24 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
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公开(公告)号：CN112530789A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011156060.4
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN112789710A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201980064886.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种在堆叠件中相对于第二材料层而选择性蚀刻第一材料层的方法。相对于所述第二材料层部分地蚀刻所述第一材料层。在所述堆叠件上选择性沉积沉积层，其中所述沉积层的覆盖在所述第二材料层上的部分比覆盖在所述第一材料层上的部分厚。所述选择性沉积包含：提供第一反应物；清扫掉所述第一反应物中的一些，其中一些未沉积的第一反应物未被清扫掉；以及提供第二反应物，其中所述未沉积的第一反应物与所述第二反应物结合，并且相对于所述第一材料层而选择性沉积在所述第二材料层上。相对于所述第二材料层选择性地蚀刻所述第一材料层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112470258A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201980048517.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种在堆叠件中相对于硅选择性地蚀刻硅锗的方法，该堆叠件位于蚀刻室中的卡盘上。将该卡盘维持在15℃以下的温度。将该堆叠件暴露于包含含氟气体的蚀刻气体，以相对于硅选择性地蚀刻硅锗。
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公开(公告)号：CN112789710B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201980064886.7
申请日：2019-09-26
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L21/02 , H10D62/10 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种在堆叠件中相对于第二材料层而选择性蚀刻第一材料层的方法。相对于所述第二材料层部分地蚀刻所述第一材料层。在所述堆叠件上选择性沉积沉积层，其中所述沉积层的覆盖在所述第二材料层上的部分比覆盖在所述第一材料层上的部分厚。所述选择性沉积包含：提供第一反应物；清扫掉所述第一反应物中的一些，其中一些未沉积的第一反应物未被清扫掉；以及提供第二反应物，其中所述未沉积的第一反应物与所述第二反应物结合，并且相对于所述第一材料层而选择性沉积在所述第二材料层上。相对于所述第二材料层选择性地蚀刻所述第一材料层。
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公开(公告)号：CN108807128B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810642746.0
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L43/12 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN107039264A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611177683.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/24 , H01J37/32 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01J37/32651 , H01L21/02211 , H01L21/02252 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/32055 , H01L21/3086
Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
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公开(公告)号：CN114999910B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210384497.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/308 , C23C16/24 , C23C16/56
Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
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