Invention Grant
- Patent Title: 一种高磁导率低涡流损耗绝缘粉末及其制备方法
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Application No.: CN202110471702.8Application Date: 2021-04-29
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Publication No.: CN113314326BPublication Date: 2022-12-02
- Inventor: 李伟健 , 段金柱 , 邢冰冰 , 盖鹏祥 , 缪思敏
- Applicant: 天通控股股份有限公司
- Applicant Address: 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号
- Assignee: 天通控股股份有限公司
- Current Assignee: 天通控股股份有限公司
- Current Assignee Address: 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号
- Main IPC: H01F41/02
- IPC: H01F41/02 ; H01F1/147 ; H01F1/24

Abstract:
本发明公开了一种高磁导率低涡流损耗绝缘粉末及其制备方法。该粉末的原始合金组成物的原子比满足下式:Fe100‑x‑ySixMy,其中M为Cr、Al、Co、Ni、Mo、B中的一种或几种。该成分的配方具有较高的磁导率,制备方法包括熔炼、雾化制粉、浆料分散、雾化干燥、筛分、合批,其中雾化工序使用的高压液体为具有优秀的吸附性、绝缘性、热稳定性、增稠性、韧性的试剂溶液,通过二次雾化干燥,这些试剂可以有效的黏附在粉末表面,完成包覆工艺,提升粉末电阻率,进而降低粉末及产品的涡流损耗。本发明的优点在于,将传统水雾化制粉工艺与粉末钝化工艺结合在一起,减少中间工艺与过程,大幅节约成本,且包覆效果良好、操作简单,适应于粉末的批量生产。
Public/Granted literature
- CN113314326A 一种高磁导率低涡流损耗绝缘粉末及其制备方法 Public/Granted day:2021-08-27
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