半导体结构及其形成方法

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Abstract:

半导体结构包括：第一中介层；第二中介层，与第一中介层横向相邻，其中，第二中介层与第一中介层间隔开；以及第一管芯，附接至第一中介层的第一侧并且附接至第二中介层的第一侧，其中，第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧面向第一管芯。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L25/00	由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）
H01L25/03	.所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04	..不具有单独容器的器件
H01L25/065	...包含在H01L27/00组类型的器件