公开(公告)号：CN113078144A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110046168.6

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕宗育 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  侯上勇

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 实施例包括在中介层的衬底中部分地形成第一通孔，该第一通孔延伸到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括将第一管芯接合到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括使中介层的衬底的第二侧凹进以暴露第一通孔，第一通孔从中介层的衬底的第二侧突出，其中，在凹进之后，中介层的衬底的厚度小于50μm。该方法还包括在中介层的衬底的第二侧上形成第一组导电凸块，第一组导电凸块中的至少一个电耦合到暴露的第一通孔。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN119943754A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411560976.4

申请日：2024-11-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张耀仁 ,  吕宗育 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  胡宪斌

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 一种形成封装件的方法包括在中介层上形成第一导电柱；在中介层上形成第二导电柱，其中第二导电柱包括阻挡层；通过第一接合区域将第一半导体器件接合到第一导电柱，第一接合区域包括比焊料多的金属间化合物；以及通过第二接合区域将第一半导体器件接合到第二导电柱，第二接合区域包括比金属间化合物多的焊料。本公开的实施例还提供了封装件。

公开(公告)号：CN113078126A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110314109.2

申请日：2021-03-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄启铭 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  侯上勇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L21/56

Abstract: 本公开提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括至少一个半导体管芯、中介层、模制化合物及连接件。中介层具有第一表面、与第一表面相对的第二表面及连接第一表面与第二表面的侧壁。所述至少一个半导体管芯设置在中介层的第一表面上且与中介层电连接。模制化合物设置在中介层之上且在侧向上包封所述至少一个半导体管芯。模制化合物在侧向上包绕在中介层周围且模制化合物至少与中介层的侧壁的一部分进行实体接触。连接件设置在中介层的第二表面上，且通过中介层而与所述至少一个半导体管芯电连接。

公开(公告)号：CN104377171B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201410007067.8

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱绍玲 ,  许国经 ,  吴伟诚 ,  黄炳刚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有中介层的封装件及其形成方法。本发明的封装结构包括：中介层、位于中介层上方并且接合至中介层的管芯以及位于中介层下方并且接合至中介层的印刷电路板（PCB）。中介层中不包含晶体管（加入晶体管），而包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的互连结构、位于硅衬底中的通孔以及位于硅衬底的背侧上的重分布线。互连结构和重分布线通过通孔电连接。

公开(公告)号：CN113035824A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011545096.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢政谚 ,  余俊辉 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  王贻樟

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装件包含第一中介件、第二中介件、第一管芯、第二管芯以及至少一个桥接结构。第一中介件和第二中介件包埋于第一介电密封体。第一管芯安置在第一中介件上方且电连接到第一中介件。第二管芯安置在第二中介件上方且电连接到第二中介件。至少一个桥接结构安置在第一管芯与第二管芯之间。

公开(公告)号：CN107611100A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201610812256.1

申请日：2016-09-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯皓程 ,  李建勋 ,  余振华 ,  刘重希 ,  郑荣伟 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  王宗鼎

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/538 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/28 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/18162

Abstract: 一种整合扇出型封装，其包括芯片模块、第二集成电路、第二绝缘包封体以及重布线路结构。芯片模块包括第一绝缘包封体以及嵌于第一绝缘包封体中的至少一第一集成电路，第一集成电路包括第一表面以及分布于第一表面上的多个第一导电端子。第二集成电路包括第二表面以及分布于第二表面上的多个第二导电端子。芯片模块与第二集成电路嵌于第二绝缘包封体中。第一导电端子以及第二导电端子藉由第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体而暴露。重布线路结构覆盖第一表面、第二表面、第一绝缘包封体以及第二绝缘包封体。重布线路结构与第一导电端子以及第二导电端子电性连接。此外，整合扇出型封装的制造方法亦被提出。

公开(公告)号：CN104377171A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410007067.8

申请日：2014-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱绍玲 ,  许国经 ,  吴伟诚 ,  黄炳刚 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  余振华

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有中介层的封装件及其形成方法。本发明的封装结构包括：中介层、位于中介层上方并且接合至中介层的管芯以及位于中介层下方并且接合至中介层的印刷电路板（PCB）。中介层中不包含晶体管（加入晶体管），而包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的互连结构、位于硅衬底中的通孔以及位于硅衬底的背侧上的重分布线。互连结构和重分布线通过通孔电连接。

公开(公告)号：CN113363244B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110380641.4

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯上勇 ,  胡宪斌 ,  邱绍玲 ,  魏文信 ,  黄炳刚 ,  沈志达 ,  卢思维 ,  施应庆 ,  邱文智 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L25/065 ,  H10B80/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

Abstract: 半导体结构包括：第一中介层；第二中介层，与第一中介层横向相邻，其中，第二中介层与第一中介层间隔开；以及第一管芯，附接至第一中介层的第一侧并且附接至第二中介层的第一侧，其中，第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧面向第一管芯。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN113078144B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202110046168.6

申请日：2021-01-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吕宗育 ,  黄炳刚 ,  邱绍玲 ,  侯上勇

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 实施例包括在中介层的衬底中部分地形成第一通孔，该第一通孔延伸到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括将第一管芯接合到中介层的衬底的第一侧。该方法还包括使中介层的衬底的第二侧凹进以暴露第一通孔，第一通孔从中介层的衬底的第二侧突出，其中，在凹进之后，中介层的衬底的厚度小于50μm。该方法还包括在中介层的衬底的第二侧上形成第一组导电凸块，第一组导电凸块中的至少一个电耦合到暴露的第一通孔。本申请的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN113363244A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110380641.4

申请日：2021-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯上勇 ,  胡宪斌 ,  邱绍玲 ,  魏文信 ,  黄炳刚 ,  沈志达 ,  卢思维 ,  施应庆 ,  邱文智 ,  吴集锡 ,  余振华

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/498 ,  H01L21/50

Abstract: 半导体结构包括：第一中介层；第二中介层，与第一中介层横向相邻，其中，第二中介层与第一中介层间隔开；以及第一管芯，附接至第一中介层的第一侧并且附接至第二中介层的第一侧，其中，第一中介层的第一侧和第二中介层的第一侧面向第一管芯。本申请的实施例还涉及形成半导体结构的方法。