本发明公开了一种高防护等级单向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有第一N型深阱，第二N型深阱；第二N型深阱右侧设有P阱；第一N型深阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二N型深阱内设有第二P+注入区和第二N+注入区；第一N型深阱和第二N型深阱中间设有跨接的第四N+注入区；P阱内设有第三P+注入区和第三N+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区和第二N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第三P+注入区和第三N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。