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公开(公告)号：CN118522706B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410651682.6
申请日：2024-05-24
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H10D18/00 , H10D18/01 , H10D64/60
Abstract: 本公开涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括：晶圆、金属电极以及热界面材料层，热界面材料层设置在金属电极和晶圆之间，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，热界面材料层和金属电极的接触界面形成连续相结构，热界面材料层和晶圆的接触界面形成连续相结构。本公开的功率半导体器件的金属电极和晶圆通过热界面材料层连接，能够降低金属电极和晶圆之间的接触热阻，从而降低功率半导体器件的接触热阻，有利于提升功率半导体器件的通流能力，同时，金属电极和晶圆通过热界面材料层连接还能够降低金属电极和晶圆的机械压力，降低功率半导体器件的机械损伤的风险，提高功率半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119364862B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411918819.6
申请日：2024-12-25
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种快开启型双向对称的静电保护器件，包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上方的1个以上的双向SCR结构单元，所述双向SCR结构单元包括依次并列非接触设置的三个静电泄放模块，静电泄放模块分别设有第一导电类型重掺杂区和第二导电类型重掺杂区，第二静电泄放模块的第一导电类型重掺杂区与第一静电泄放模块的第二导电类型重掺杂区能够构建静电泄放的第一方向导通路径，第三静电泄放模块的第一导电类型重掺杂区与所述第二静电泄放模块的第二导电类型重掺杂区能够构建与第一方向相反的第二方向导通路径，所述第一方向导通路径与所述第二方向导通路径的长度和导通路径均一致。本发明能够实现更快的导通开启速度。
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公开(公告)号：CN115274624B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210765330.4
申请日：2022-07-01
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件在耐压层与底部区之间含有中间层和分压层，所述中间层起到截止电场的作用，所述分压层能在所述半导体器件处于截止态下遭受高能粒子辐照时起到承受外加电压的作用，从而避免所述耐压层的动态雪崩击穿。所述半导体器件具有抗辐照特性和高可靠性。
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公开(公告)号：CN119630008B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510157053.2
申请日：2025-02-13
Applicant: 上海维安半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种具有高浪涌高稳定触发特性的可控硅器件及其制备方法。包括：正面基区金属电极和正面发射区金属电极之间有保护层，保护层中有多晶硅电阻区，分别连接两侧的电极进行分流。针对可控硅器件不能同时具备高触发电流、高抗浪涌能力的问题，在正面电极之间通过多晶硅电阻区形成了并联通路进行分流，从而提高触发电流IG值。该结构可使得器件选用更淡掺杂的基区和更宽面积的发射区，从而提升防浪涌能力和耐压性能。通过对多晶硅电阻区的参数进行限制，从而使得多晶硅电阻区具有负温度系数，对触发电流形成温度补偿，从而解决现有可控硅触发电流随温度变化而变化，及IG随着温度升高而电流降低的问题。
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公开(公告)号：CN111883587B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010677130.4
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D18/00 , H10D18/01 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及其制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需传统结构来实现放大门级悬空，即可达到封装时放大门级与阴极隔离的目的，并能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命，降低了工艺复杂程度，降低了工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119677122A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411881449.3
申请日：2024-12-19
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅基静电感应晶闸管，包括靠近N型漂移区的N+矩形沟道区和位于所述N+矩形沟道区上的N+弯道状沟道区；P+型栅区为三段式栅极结构，具体包括靠近所述N型漂移区的P+型矩形栅区、位于所述P+型矩形栅区上的P型弯曲状栅区，以及位于所述P型弯曲状栅区上的栅极区邻近铝接触电极部分；沟槽结构阴极底部还与所述P型弯曲状栅区相对设有阴极底部P+区。通过引入新的结构设计实现了更强大的栅极控制能力、更高的击穿电压以及更好的电流均匀分布。
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公开(公告)号：CN119317184B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411833661.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出一种用于ESD保护的可调式SCR器件及其连接方法，属于电子科技与技术领域。所述器件包括：P型衬底，绝缘层，第一多晶硅栅区，第二多晶硅栅区，N型阱区，P型阱区，第一N+区，第一P+区，第二N+区，第二P+区，第一N型沟道区，P型沟道区，第二N型沟道区。在上述结构中，第一N+区和第一P+区通过导线互联形成器件的阳极，第二N+区和第二P+区通过导线互联形成器件的阴极。本发明在不增加器件面积的基础上，通过对传统SCR器件结构的改进，引入了NPN超结型沟道与多晶硅侧栅，增加了超结结构的NPN型符合沟道区域，由此可以实现SCR器件的可调节的电流分布与参数特性。
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公开(公告)号：CN119630067A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411729907.1
申请日：2024-11-28
Applicant: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
Abstract: 本发明提供一种SCR结构，通过将第一P型重掺杂区设置在第一N型重掺杂区中，即两者为互相接触的状态，同时将第一P型重掺杂区分为多个间隔设置的第一P型重掺杂区，使得多个第一P型重掺杂区的侧面被第一N型重掺杂区包围，有效提高了SCR结构中PNP三极管基区离子注入浓度，从而可有效提高SCR结构的维持电压；另外，还可有效降低NMOS晶体管对SCR结构的辅助触发电压；最后，降低由第一P型重掺杂区及其左右两侧的第一N型重掺杂区构成的NPN三极管电流放大倍数β，从而进一步提高SCR结构的维持电压。
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公开(公告)号：CN113764402B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202010489564.1
申请日：2020-06-02
Applicant: 湖南静芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高防护等级单向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有第一N型深阱，第二N型深阱；第二N型深阱右侧设有P阱；第一N型深阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二N型深阱内设有第二P+注入区和第二N+注入区；第一N型深阱和第二N型深阱中间设有跨接的第四N+注入区；P阱内设有第三P+注入区和第三N+注入区；第一P+注入区、第一N+注入区、第二P+注入区和第二N+注入区连接在一起并作为器件的阳极，第三P+注入区和第三N+注入区连接在一起并作为器件的阴极。
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公开(公告)号：CN113764400B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202010489155.1
申请日：2020-06-02
Applicant: 湖南静芯微电子技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件，本发明通过在浅N阱中加入与阳极相连的N+注入区，器件反向导通时，与阴极形成寄生二极管，使得反向路径不必经过隔离环，静电倾向于从寄生二极管泄放，从而降低反向导通路径的导通电阻，可有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力；本发明的单向可控硅器静电释放器件具有低导通电阻的特点，可在有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力的同时实现高防护等级。
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