间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺

Invention Grant

CN114242582B 间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺有权

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Patent Title: 间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺
Application No.: CN202111444829.7

Application Date: 2021-11-30
Publication No.: CN114242582B

Publication Date: 2025-04-11
Inventor: 刘胜 , 孙亚萌 , 王诗兆 , 东芳 , 薛良豪 , 李瑞
Applicant: 武汉大学
Applicant Address: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
Assignee: 武汉大学
Current Assignee: 武汉大学
Current Assignee Address: 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
Agency: 武汉科皓知识产权代理事务所
Agent 齐晨涵
Main IPC: H01L21/3065
IPC: H01L21/3065 ; H01L21/308 ; H01L25/00

Abstract:

本发明公开了一种间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺，其结构包括腔体晶圆、键合晶圆和芯片；该间接式等离子体大腔体刻蚀的结构制备工艺包括前处理工艺、等离子体深硅刻蚀工艺以及键合工艺。本发明完美解决了深硅刻蚀过程中单腔体刻蚀时间长，刻蚀形成的腔体底面粗糙度大的技术问题；提出的间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺易于实现自动化操作，工艺稳定，适合具有高深宽比的多腔体刻蚀，并且适于大规模批量生产的应用场景。

Public/Granted literature

CN114242582A 间接式等离子体大腔体刻蚀的结构及其制备工艺 Public/Granted day:2022-03-25

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀