本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供堆叠晶圆，所述堆叠晶圆中的每层晶圆均包括层叠的半导体衬底和隔离层；在所述堆叠晶圆的划片道内形成沟槽，在所述沟槽中形成绝缘层和嵌设在所述绝缘层中的导电结构，所述导电结构沿所述堆叠晶圆的厚度方向从所述堆叠晶圆中的最顶层晶圆延伸到最底层晶圆；切割所述堆叠晶圆，切割每层所述晶圆产生的静电通过所述导电结构导走。本发明通过导电结构增加导电通道，导走顶层晶圆和中间晶圆的静电荷，降低白噪声，避免击穿晶圆上的静电环。