Invention Publication
CN115911800A 一种电磁泄漏抑制的波导与微带过渡结构
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种电磁泄漏抑制的波导与微带过渡结构
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Application No.: CN202211426685.7Application Date: 2022-11-15
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Publication No.: CN115911800APublication Date: 2023-04-04
- Inventor: 张勇 , 张博 , 余怀强 , 杨岚馨
- Applicant: 电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第二十六研究所
- Applicant Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;
- Assignee: 电子科技大学,中国电子科技集团公司第二十六研究所
- Current Assignee: 电子科技大学,中国电子科技集团公司第二十六研究所
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;
- Agency: 电子科技大学专利中心
- Agent 邓黎
- Main IPC: H01P5/107
- IPC: H01P5/107

Abstract:
本发明公开一种电磁泄漏抑制的波导与微带过渡结构,属于毫米波器件技术领域,包括上腔体、下腔体和微带结构;上腔体中,输入矩形波导垂直贯穿开口谐振环中心,开口谐振环为跑道椭圆环状,一侧直边槽与输入矩形波导通过横向开口槽连接,外侧与横向开口槽共线的微带上腔邻接;下腔体中,短路矩形波导与输入矩形波导相对设置,微带槽邻接于短路矩形波导外侧,与横向开口槽、微带上腔相对;微带结构位于微带槽内部,包括衬底,以及位于衬底上依次相连的微带探针、匹配结构和50Ω微带线,微带探针深入短路矩形波导内部。本发明将波导缝隙中泄露的电磁能量以谐振的形式束缚,有效降低电磁泄露水平和过渡损耗,具有结构简单、低损耗的优点。
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