Invention Publication
- Patent Title: 一种Micro-LED芯片的巨量转移方法以及一种Micro-LED显示基板
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Application No.: CN202310398817.8Application Date: 2023-04-14
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Publication No.: CN116110899APublication Date: 2023-05-12
- Inventor: 李雍 , 陈文娟 , 王怀厅 , 瞿澄
- Applicant: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
- Applicant Address: 江苏省南通市开发区星宇路30号
- Assignee: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
- Current Assignee: 罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省南通市开发区星宇路30号
- Main IPC: H01L25/075
- IPC: H01L25/075 ; H01L25/16 ; H01L27/12 ; H01L33/00 ; G09F9/33

Abstract:
本发明涉及一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法以及一种Micro‑LED显示基板,涉及微发光二极管显示制造领域。在本发明的Micro‑LED芯片的巨量转移方法中,将Micro‑LED芯片单元转移至驱动基板之前,预先形成包裹Micro‑LED芯片单元的像素限定层,有效保护Micro‑LED芯片单元,避免Micro‑LED芯片单元在转移过程中损坏,且在转移工序后直接作为像素限定层使用而无需额外的去除工序,简化了Micro‑LED显示基板的生产工序,降低了制造成本。
Public/Granted literature
- CN116110899B 一种Micro-LED芯片的巨量转移方法以及一种Micro-LED显示基板 Public/Granted day:2023-06-20
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