LED芯片的排片方法、芯片级LED封装结构的制备方法

    公开(公告)号:CN118367067A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410458122.9

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本申请公开了一种LED芯片的排片方法、芯片级LED封装结构的制备方法,该排片方法包括:在排片膜的非粘性面固定一掩膜板,掩膜板包括多条交错设置的预留切割道图形,每四条预留切割道图形包围形成第一区域;根据LED芯片的尺寸在第一区域中确定至少一个芯片定位点;其中,芯片定位点用于确定排片时LED芯片落在排片膜上的位置;根据芯片定位点利用具有转移功能的排片设备将LED芯片转移至排片膜远离掩膜板的粘性面上;分离排片膜和掩膜板,以获得排好LED芯片的排片膜。这样可以在利用现有排片设备的前提下,提高LED芯片在排片膜上排列位置的精确度,降低后期出现切割偏差的概率,从而提高产品的一致性和色温的均匀性,提高LED芯片封装的产品良率。

    Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法

    公开(公告)号:CN116960255B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202311199786.X

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本发明涉及Micro LED芯片的间距调节方法及Micro LED芯片的转移方法,涉及半导体显示技术领域。在本申请的Micro LED芯片的间距调节方法中,将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片转移至所述第一转移基板之后,利用调距模块将第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的净距调节为D2,并在所述第一转移基板上形成第一凹槽,并在所述第一凹槽中形成第一金属凸块,上述调距方法可以使得第一列Micro LED芯片和第二列Micro LED芯片之间的间距变大,进而在后续Micro LED芯片列转移至所述第一转移基板的过程中,由于各金属凸块的存在,可以确保预先转移的相邻Micro LED芯片列之间的间距固定不变。

    一种LED封装膜片及LED封装结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117133851A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202311393422.5

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 本发明提供了一种LED封装膜片及LED封装结构。该LED封装膜片包括外封装体,呈现长方体结构,其包括相对设置的第一表面和第二表面以及连接所述第一表面和第二表面之间的四个侧壁;在所述第一表面具有在其中间区域的容纳槽,在四个侧壁上分别具有四个导光槽,所述导光槽分别贯通四个侧壁且连通所述容纳槽;内封整体,由荧光树脂材料构成,填充满所述容纳槽和所述四个导光槽;在60‑150℃的温度范围内,内封整体的流动性大于外封装体的流动性。该封装膜片可以保证在使用时内封装体的稳定性,防止变质变色。

    一种微型发光单元显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN116936714B

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311199353.4

    申请日:2023-09-18

    Abstract: 本发明涉及一种微型发光单元显示面板及其制造方法,涉及半导体显示技术领域。在本申请的微型发光单元显示面板的制造方法中,通过设置第一转移基板的形成方式为:提供一弹性树脂基底,在所述弹性树脂基底上形成多个呈矩阵排列的凹槽,在每个凹槽中嵌入一个刚性凸块,每个所述刚性凸块的一部分突出于所述弹性树脂基底的上表面,以在所述弹性树脂基底上形成多个呈阵列排布的刚性基底以及位于相邻刚性基体之间的可拉伸区,通过上述结构的设置,可以有效调整第一转移基板中仅对应相邻微型发光单元的间隙的区域可以被拉伸,进而可以有效精确控制相邻微型发光单元之间的间距。

    一种微型发光二极管芯片的转移方法

    公开(公告)号:CN117038804A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311286293.X

    申请日:2023-10-08

    Inventor: 瞿澄 李雍 陈文娟

    Abstract: 本发明涉及一种微型发光二极管芯片的转移方法,涉及半导体显示技术领域。在本发明的微型发光二极管芯片的转移方法中,预先将多个微型发光二极管芯片转移到第一转移基板上,在拉伸状态下,将所述第一转移基板上的多个所述微型发光二极管芯片转移到所述第二转移基板的凹腔中,并利用检测装置检测微型发光二极管芯片是否位于相应的凹腔中,当微型发光二极管芯片未设置于相应的凹腔时,重新调整该微型发光二极管芯片使得其置于相应的凹腔中,通过上述转移方式可以确保微型发光二极管芯片均位于相应的凹腔中,进而提高转移良率。

    一种微LED显示结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN115274976B

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211218706.6

    申请日:2022-10-07

    Abstract: 本发明提供了一种微LED显示结构及其制造方法,涉及LED显示技术领域。本发明的本发明提供了一种微LED显示结构,其包括显示区域和非显示区域,所述显示区域与所述非显示区域之间具有弧形边缘;其像素限定层限定出至少一第一像素孔和至少一第二像素孔,第一像素孔与第二像素孔在第一方向上相邻排列俯视观察时,相较于第一像素孔,第二像素孔的边缘更靠近弧形边缘;第二像素孔具有最靠近弧形边缘的第一边,所述第一边为弧形边且平行于异形边缘。这样,在弧形边缘的显示不会有锯齿状的边界,提高显示效果。

    一种Micro-LED显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN115312637B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211237158.1

    申请日:2022-10-11

    Abstract: 本发明涉及一种Micro‑LED显示装置及其制造方法,涉及微发光二极管显示制造领域。在本发明的Micro‑LED显示装置的制造方法中,通过将多个所述外延基底转移至所述第一转移基板,然后再将第一转移基板上的Micro‑LED单元转移至驱动基板,有效提高了转移效率。且通过在转移工序之前,在任意相邻两个所述Micro‑LED单元之间形成第一金属柱,然后形成像素限定材料层以包裹每个所述Micro‑LED单元和每个所述第一金属柱,由于第一金属柱的存在可以避免多个Micro‑LED单元所组成的发光层变形翘曲,进而可以提高转移精度。且由于纳米线网格层的存在,可以提高像素限定材料层与所述第一金属柱的接合稳固性以及像素限定材料层与Micro‑LED单元的接合稳固性。

    微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法

    公开(公告)号:CN115295690B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202211218702.8

    申请日:2022-10-07

    Abstract: 本发明涉及一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法,涉及微发光二极管显示制造领域。通过在生长衬底边缘处设置一列虚拟微发光二极管单元,进而在虚拟微发光二极管单元中设置第一金属柱,并在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱,在后续的转移过程中,使得使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中,通过上述转移方法形成的微发光二极管显示基板可以有效避免潮气入侵,第一金属柱和第二金属柱的存在可以阻挡潮气入侵能微发光二极管单元。

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