本发明公开一种高发射率铼涂层及其制备方法，属于CVD涂层制备技术领域。本发明所述高发射率铼涂层的制备方法包括：将钼基体在熔盐中腐蚀；熔盐为NaNO3和KNO3混合反应物；然后在真空中依次氯化、沉积得到沉积样品；接下来停止加热，通入氯气流量为30～50ml/min，时间为30～60min，得到铼涂层钼基材料；最后使用电火花线切割方法分离铼涂层和钼基体。本发明通过对基体进行熔盐腐蚀及对沉积样品进行氯气腐蚀调控铼涂层生长取向，得到的铼涂层组织致密，涂层表面形状呈现出树枝状，具有(002)择优取向，表面发射率可高达0.83，远高于粉末冶金方法制备得到的铼的发射率。