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公开(公告)号：CN118880468A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410952859.6
申请日：2024-07-16
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新型材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种自发生长Ag晶须的材料及其制备方法，将Fe‑Cr‑B铸钢Al‑Si合金熔体中进行热浸镀及后续扩散热处理，再浸入到AgCl熔盐中进行腐蚀，最终得到发白的周期性层片结构，其中，发白的Cr‑Al‑Ag‑B MAB相可自发生长Ag晶须。本发明通过简单的工艺生成了Cr‑Al‑Ag‑B MAB相并可自发生长贵金属Ag晶须，同时拓宽了MAB相的种类，也为Ag晶须的生长提供了新方法。
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公开(公告)号：CN118756139A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410952853.9
申请日：2024-07-16
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新材料及新材料制备技术领域，具体涉及一种周期性层片结构镀层的脱Al方法及应用，所述的方法包括将含有周期性层片结构镀层的试件浸入到MoCl5熔盐中浸泡腐蚀，具体地，将Fe‑Cr‑B铸钢进行热浸镀纯Al‑扩散热处理，进而原位生成由Cr‑Al‑B MAB相和FeAl3交替排列组成的周期性层片结构。然后将该周期性层片结构的镀层浸入到200‑250℃的MoCl5熔盐中一定时间（0.5‑2 h）取出，即可获得脱Al的周期性层片结构镀层，脱Al的方式都为生成AlCl3并发生挥发。本发明通过简单的工艺在较低的温度、较短的时间内即可获得脱Al的周期性层片结构镀层，并可阻挡MoCl5熔盐的侵蚀。
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公开(公告)号：CN117364052A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311322575.0
申请日：2023-10-13
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
IPC: C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/01 , C23F1/10
Abstract: 本发明公开一种高发射率铼涂层及其制备方法，属于CVD涂层制备技术领域。本发明所述高发射率铼涂层的制备方法包括：将钼基体在熔盐中腐蚀；熔盐为NaNO3和KNO3混合反应物；然后在真空中依次氯化、沉积得到沉积样品；接下来停止加热，通入氯气流量为30～50ml/min，时间为30～60min，得到铼涂层钼基材料；最后使用电火花线切割方法分离铼涂层和钼基体。本发明通过对基体进行熔盐腐蚀及对沉积样品进行氯气腐蚀调控铼涂层生长取向，得到的铼涂层组织致密，涂层表面形状呈现出树枝状，具有(002)择优取向，表面发射率可高达0.83，远高于粉末冶金方法制备得到的铼的发射率。
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公开(公告)号：CN117187728A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311210626.0
申请日：2023-09-19
Applicant: 海南大学
Abstract: 本发明属于新型材料领域，公开了一种生成A位置固溶体MAB相的材料及其制备方法和应用，所述的A位置固溶体MAB相为Cr‑(Al,Zn)‑B相。将Fe‑Cr‑B铸钢进行热浸镀铝，铝液成分为Al‑8.9Si合金，然后含有Al‑Si合金镀层的Fe‑Cr‑B铸钢置于ZnCl2熔盐中进行腐蚀。本发明通过简单的工艺可生成含有A位固溶体的Cr‑(Al,Zn)‑B MAB相，进而阻挡氯化物熔盐腐蚀。
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公开(公告)号：CN117140197A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311010603.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掩膜保护及非接触抛光工艺的微细结构制造方法，包括以下步骤：预处理；涂胶；曝光；显影；非接触抛光；除胶检测。本发明在微细结构加工过程中，光刻胶未覆盖的基材区域被抛光，产生材料去除，而受到光刻胶保护的区域，即掩膜保护区域，基材未产生材料去除，只有光刻胶被去除。由于光刻胶的材料去除率小于基材的材料去除率，因而掩膜保护区域与未被保护区域之间产生高差，即所需制造的微细结构。本发明利用非接触抛光工艺材料去除机理为剪切去除，不会对微细结构的侧壁产生影响，即不会产生侧蚀现象，因而加工出的微细结构面形精度较高。本发明不涉及到刀具、砂轮等工具的机械去除，因而制造出的表面不存在毛刺、刀纹等缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112504799B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202011341982.2
申请日：2020-11-25
Applicant: 东方电气集团东方锅炉股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种奥氏体耐热钢管内壁喷丸层深度的检测方法，包括以下步骤：(1)将待浸蚀试样除油、干燥后加热至640～660℃，然后保温0.5～1h后取出冷却；(2)将无水乙醇置于容器中，然后加入硝酸搅拌均匀，再加入盐酸搅拌均匀即得浸蚀剂；(3)将步骤(1)预处理后的试样进行磨制抛光后放入步骤(2)所得的浸蚀剂中电解浸蚀10～15S后取出，用清水冲洗后再用无水乙醇冲洗，然后用热风吹干或烘干即可使用显微镜观察；所述电解浸蚀的电压为6.5～7.5V。本发明首先对待测试样进行加热保温处理，然后采用选用硝酸‑盐酸‑无水乙醇组成的浸蚀剂进行电解浸蚀，可清晰、完整地显示出S30432钢管内壁喷丸硬化层深度区域，从而方便准确地进行喷丸层深度测量。
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公开(公告)号：CN110088359B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201780062673.1
申请日：2017-10-06
Applicant: 富士胶片电子材料美国有限公司
Inventor： 迪帕克·马胡利卡尔
Abstract: 公开了在升高的垫或晶片表面温度下提供稳定且稳健的抛光性能的CMP组合物及其使用方法。本公开的组合物包含反应速率优化(RRO)化合物，其优化在晶片表面上在升高的抛光温度下在浆料化学中发生的各种化学反应，使得单个晶片内的去除速率变化
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公开(公告)号：CN113677100A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110840213.5
申请日：2021-07-24
Applicant: 赣州市深联电路有限公司
Abstract: 本发明公开了一种印制电路高厚线路蚀刻工艺，选用甲基苯并三氮唑与2‑苯氧基乙醇复合添加剂作为高厚铜线路的蚀刻缓蚀剂，应用该缓蚀剂，并通过保护剂吸附在铜表面，先在低喷淋压力下，使保护层不被破坏，铜的蚀刻速率慢，之后，在高喷淋压力下，破坏保护层，从而实现高厚铜蚀刻，从而使高厚铜新路的蚀刻因子大于4，满足载流传输可靠性要求。通过该工艺可以使高厚铜新路的蚀刻因子大于4，满足载流传输可靠性要求。
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公开(公告)号：CN110453222B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910730275.3
申请日：2019-08-08
Applicant: 重庆科技学院
IPC: C23F1/10 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/22 , C22C38/24 , C22C38/26 , C22C38/28 , C22C38/32 , C22C38/34 , C22C38/38 , G01N1/32
Abstract: 本发明属于超高强度钢奥氏体晶界及晶内微观组织显示技术领域，公开了一种显示超高强钢奥氏体晶界的腐蚀液及制备方法和应用，该腐蚀液包括以下组分：冰乙酸、无水乙醇；其中，冰醋酸与无水乙醇的体积比为：1：3‑7。本发明提供的显示超高强钢奥氏体晶界的腐蚀液及制备方法和应用用以解决现有技术中腐蚀液制剂温度与腐蚀时间难把控，得不到较为清晰的腐蚀效果等技术问题。
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公开(公告)号：CN112921320A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110075293.X
申请日：2016-06-22
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C23F1/10 , C23F1/02 , C23F1/44 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3213
Abstract: 一种湿式蚀刻方法，其特征在于，其是使用蚀刻液对基板上的含金属膜进行蚀刻的湿式蚀刻方法，前述蚀刻液是三氟甲基与羰基键合而成的β‑二酮的有机溶剂溶液，前述含金属膜包含能够与前述β‑二酮形成络合物的金属元素，前述蚀刻液中所包含的水的量为1质量％以下。
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