本发明提供了一种硅‑锆钛酸铅异质光电融合单片集成系统，涉及光电集成技术领域，包括：硅‑锆钛酸铅晶圆和光电集成系统链路，硅‑锆钛酸铅晶圆包括的硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层和二氧化硅包埋层从下至上依次生长，锆钛酸铅薄膜层平行于硅薄膜层并内设于二氧化硅包埋层中部；光电集成系统链路包括第一光路器件、第二光路器件和电路器件，第一光路器件和电路器件设于硅薄膜层上，第二光路器件设于锆钛酸铅薄膜层上；第一光路器件与第二光路器件进行光信号传输，电路器件与第一光路器件、第二光路器件进行电信号传输。本发明能够解决现有纯硅CMOS兼容光电集成系统传输带宽受限的问题。