Invention Publication
- Patent Title: 一种A位缺陷及B位多元素掺杂的中温SOFC阴极材料及其制备方法和应用
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Application No.: CN202410483626.6Application Date: 2024-04-22
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Publication No.: CN118099451APublication Date: 2024-05-28
- Inventor: 和永 , 雷宪章 , 刘雨禾 , 周元兴 , 廖长江
- Applicant: 成都岷山绿氢能源有限公司 , 成都烁克科技有限公司
- Applicant Address: 四川省成都市高新区天勤路839号5栋1层1号;
- Assignee: 成都岷山绿氢能源有限公司,成都烁克科技有限公司
- Current Assignee: 成都岷山绿氢能源有限公司,成都烁克科技有限公司
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区天勤路839号5栋1层1号;
- Agency: 广州三环专利商标代理有限公司
- Agent 孙朝锐
- Main IPC: H01M4/90
- IPC: H01M4/90 ; H01M4/88

Abstract:
本申请公开了一种A位缺陷及B位多元素掺杂的中温SOFC阴极材料及其制备方法和应用,涉及固体氧化物燃料电池技术领域。一种A位缺陷及B位多元素掺杂的中温SOFC阴极材料,该中温SOFC阴极材料以BaCoO3为基体,利用Bi、Zr和Nb对BaCoO3的B位进行共掺杂并在BaCoO3的A位引入缺陷;中温SOFC阴极材料的化学式为Ba1‑xBi0.05Zr0.1Co0.85‑yNbyO3‑δ,其中,x为Ba的缺陷量,0<x<1,y为Nb的掺杂量,0<y<0.85,δ为氧空位的含量。本申请解决了BaCoO3‑δ相结构不稳定,不能在室温条件下形成稳定的立方钙钛矿结构的缺陷,所获得的阴极材料电化学性能优异。
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