Invention Publication
- Patent Title: 一种脑电极装置及其制备方法
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Application No.: CN202410485894.1Application Date: 2024-04-22
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Publication No.: CN118436360APublication Date: 2024-08-06
- Inventor: 陶虎 , 孙鎏炀 , 周存凯
- Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Applicant Address: 上海市长宁区长宁路865号
- Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Current Assignee: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- Current Assignee Address: 上海市长宁区长宁路865号
- Agency: 上海智信专利代理有限公司
- Agent 杨怡清
- Priority: 2023234823444 20231219 CN
- Main IPC: A61B5/369
- IPC: A61B5/369 ; A61B5/386 ; A61B5/293

Abstract:
本发明提供一种脑电极装置,包括电路板、第一胶带层、柔性电极结构、第二胶带层和芯片;柔性电极结构包括连接的植入结构和后端结构;所述后端结构包括焊盘容置孔和多个电路板暴露通孔,第一胶带层和第二胶带层的材质为聚酰亚胺,第二胶带层的电极焊料容置孔与柔性电极结构的焊盘容置孔对齐以形成第一聚合物通孔,所述第一聚合物通孔内填充有焊料以形成电极焊盘;芯片的一部分引脚与电极焊盘焊接,芯片的另一部分引脚穿过所述电路板暴露通孔与所述电路板焊盘焊接固定。本发明的脑电极装置及其制备方法在牢固焊接固定的前提下实现脑电极装置的小尺寸、轻量、高集成。
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