Invention Grant
- Patent Title: 清洗剂、使用该清洗剂去除金属离子的方法及应用
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Application No.: CN202410527835.6Application Date: 2024-04-28
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Publication No.: CN118440782BPublication Date: 2025-04-25
- Inventor: 廖家豪 , 刘赋灵 , 张紫林 , 柴攀 , 万强
- Applicant: 湖南德智新材料股份有限公司
- Applicant Address: 湖南省株洲市天元区金马路156号湖南德智半导体产业园1号厂房
- Assignee: 湖南德智新材料股份有限公司
- Current Assignee: 湖南德智新材料股份有限公司
- Current Assignee Address: 湖南省株洲市天元区金马路156号湖南德智半导体产业园1号厂房
- Agency: 北京布瑞知识产权代理有限公司
- Agent 王舒萌
- Main IPC: C11D7/34
- IPC: C11D7/34 ; C11D7/32 ; C11D7/06 ; C11D7/10 ; C11D7/60 ; H01L21/02
Abstract:
本发明涉及半导体领域，具体涉及一种清洗剂、使用该清洗剂去除金属离子的方法以及应用。所述清洗剂包括亚砜类物质、碱性化合物和氟化物；所述清洗剂包括元素S和元素N；所述清洗剂中元素S的含量为a，所述清洗剂中元素N的含量为b，所述清洗剂的pH值为c，满足1≤(a+b)*100/c≤5。本发明的清洗剂能够高效去除金属离子，从而提高半导体材料的质量和性能。
Public/Granted literature
- CN118440782A 清洗剂、使用该清洗剂去除金属离子的方法及应用 Public/Granted day:2024-08-06
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