一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法，属于材料制备技术和半导体光电集成领域。催化层良好的表面形貌与晶格结构对高质量石墨烯的生长至关重要，利用V靶通过溅射‑氧化制备的V2O5薄膜成膜均匀连续，表面粗糙度较小，较直接溅射的V2O5薄膜在(001)晶面方向具有明显的择优取向，提升了V2O5薄膜的单晶化程度。将氧化法制备的V2O5薄膜样片放入PECVD中生长石墨烯，在结束生长后通入大流量的H2，H离子对石墨烯生长缺陷和杂质的刻蚀，实现对石墨烯质量的进一步提升。通过这两种途径，有效提高了石墨烯的质量，且生长温度可以降低至300℃。