公开(公告)号：CN115928042B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211435828.0

申请日：2022-11-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贺鑫 ,  邓军 ,  宋钊 ,  聂祥 ,  刘志彬 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C30B23/00 ,  C30B29/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种提高溅射制备的金属催化薄层质量的方法属于半导体光电集成领域。本发明提出了一种只需对溅射制备的催化金属薄层做进一步低温工艺处理就能提升其质量，实现高质量石墨烯催化生长的方法。将溅射制备的催化金属薄层放入ICP中，通过优化控制参数，利用Ar+对金属薄层表面的轰击，实现金属薄层表面的重构，提升单晶化，减少缺陷，同时利用Cl‑的微刻蚀作用，进一步降低金属薄层表面的粗糙度，从而实现石墨烯大面积低温原位图形化制备。新方法最大的优点是实现了石墨烯与Si基电路光电集成中全低温制备石墨烯工艺，并与现行的CMOS工艺兼容，同时避免了石墨烯层因转移工艺引起的沾污，褶皱和破损。

公开(公告)号：CN116314002A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310194396.7

申请日：2023-02-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 宋钊 ,  邓军 ,  贺鑫 ,  聂祥 ,  刘志彬 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: H01L21/762

Abstract: 一种PDSOI体接触结构的实现方式属于半导体技术领域。本发明还提供了一种新型的器件结构，通过VSTI下面的P型硅区将体区与P+区连接，并在源极和P+体接触区上设置金属硅化物层形成欧姆接触，用以钳制体区电位，维持阈值电压稳定，使寄生双极晶体管不易导通。本发明除了有效抑制PD SOI器件工作时产生的浮体效应之外，还与标准CMOS工艺兼容，做到了不改变沟道宽度，还使体区两端都有接触。

公开(公告)号：CN119061373A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411188598.1

申请日：2024-08-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 赵宇辰 ,  邓军 ,  于雪彦

IPC: C23C16/26 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/58 ,  C23C16/50 ,  C23C16/04 ,  C23C16/56

Abstract: 一种提高钒氧化物低温催化生长石墨烯质量的方法，属于材料制备技术和半导体光电集成领域。催化层良好的表面形貌与晶格结构对高质量石墨烯的生长至关重要，利用V靶通过溅射‑氧化制备的V2O5薄膜成膜均匀连续，表面粗糙度较小，较直接溅射的V2O5薄膜在(001)晶面方向具有明显的择优取向，提升了V2O5薄膜的单晶化程度。将氧化法制备的V2O5薄膜样片放入PECVD中生长石墨烯，在结束生长后通入大流量的H2，H离子对石墨烯生长缺陷和杂质的刻蚀，实现对石墨烯质量的进一步提升。通过这两种途径，有效提高了石墨烯的质量，且生长温度可以降低至300℃。

公开(公告)号：CN118854248A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410916873.0

申请日：2024-07-10

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 于雪彦 ,  邓军 ,  赵宇辰

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/50 ,  C23C14/04 ,  C23C14/34 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/58

Abstract: 一种采用多层催化金属结构实现低温原位图形化生长石墨烯的方法，属于半导体光电集成领域。在高催化性能的催化层表面覆盖一层对石墨烯生长无催化作用的金属薄层后，利用PECVD生长设备在指定低温生长温度下对催化层以及无催化作用的金属薄层进行合金退火处理，使得底层的催化金属互扩散到合金催化层表面，最后再通入碳源气体在对应指定低温生长温度下进行石墨烯的生长。催化层和无催化作用的金属薄层形成的合金如镍钨合金催化层能显著降低石墨烯的成核密度，增大单个成核点的石墨烯晶畴尺寸大小，从而改善石墨烯薄膜的单层性、降低其缺陷程度。在本发明中，整个石墨烯的生长流程均在低温下进行，与现行的CMOS工艺相兼容，同时避免了石墨烯薄膜因转移工艺引起的褶皱、沾污和破损。

公开(公告)号：CN115928042A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211435828.0

申请日：2022-11-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贺鑫 ,  邓军 ,  宋钊 ,  聂祥 ,  刘志彬 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C30B23/00 ,  C30B29/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种提高溅射制备的金属催化薄层质量的方法属于半导体光电集成领域。本发明提出了一种只需对溅射制备的催化金属薄层做进一步低温工艺处理就能提升其质量，实现高质量石墨烯催化生长的方法。将溅射制备的催化金属薄层放入ICP中，通过优化控制参数，利用Ar+对金属薄层表面的轰击，实现金属薄层表面的重构，提升单晶化，减少缺陷，同时利用Cl‑的微刻蚀作用，进一步降低金属薄层表面的粗糙度，从而实现石墨烯大面积低温原位图形化制备。新方法最大的优点是实现了石墨烯与Si基电路光电集成中全低温制备石墨烯工艺，并与现行的CMOS工艺兼容，同时避免了石墨烯层因转移工艺引起的沾污，褶皱和破损。

公开(公告)号：CN117673189A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311561578.X

申请日：2023-11-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 聂祥 ,  邓军 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02

Abstract: 一种提高光响应度的石墨烯MOS型探测器及制备方法，属于半导体光电集成领域。只需要在制备好的石墨烯探测器表面溅射一层具有特定尺寸和距离的金圆盘表面结构就可以提升器件光响应度的方法。金圆盘通过光刻和射频溅射获得，横向间距从石墨烯中央开始向两端逐渐增大，纵向间距固定。当石墨烯上方有电磁波入射时，金圆盘产生等离激元效应，这时通过石墨烯下方的分裂栅极调控石墨烯费米能级，金圆盘和栅压可以协同激发石墨烯中的热载流子并使其定向移动，产生超高增益的光电流。新方法的优点是在保证石墨烯探测器与CMOS工艺兼容，可应用于硅基光电集成电路的前提下提高了石墨烯探测器的性能，并且工艺无需过多改动，仅需要额外添加一步工艺。