Invention Publication
- Patent Title: 集成半导体器件及其制备方法
-
Application No.: CN202411156857.2Application Date: 2024-08-21
-
Publication No.: CN119133083APublication Date: 2024-12-13
- Inventor: 郎晨智 , 陈天 , 肖莉 , 王黎 , 陈华伦
- Applicant: 华虹半导体(无锡)有限公司 , 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 江苏省无锡市新吴区新洲路30号;
- Assignee: 华虹半导体(无锡)有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 华虹半导体(无锡)有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 江苏省无锡市新吴区新洲路30号;
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 崔莹
- Main IPC: H01L21/762
- IPC: H01L21/762 ; H01L27/12
Abstract:
本申请提供一种集成半导体器件及其制备方法，其中集成半导体器件的制备方法中，采用DTI(第一深沟槽隔离结构、第二深沟槽隔离结构)和SOI(底层硅衬底、中间氧化层和顶层硅衬底)结合，形成全介质隔离，从而完全隔离SOI上的CMOS器件(本实施例以NMOS器件为例)和LDMOS器件，提高了芯片整体的抗EMI能力，并完全杜绝寄生双极效应，消除了闩锁的风险，从而提升了电路工作可靠性。
Information query
IPC分类:
